[發明專利]一種封裝方法

有效

• 申請號: 201911393840.8
• 申請日: 2019-12-30
• 公開（公告）號: CN111162014B
• 公開（公告）日: 2022-10-04
• 發明（設計）人: 黃柏榮;王宏杰;陳傳興
• 申請（專利權）人: 蘇州通富超威半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/367
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 黎堅怡

本申請公開了一種封裝方法，屬于半導體封裝技術領域。本申請公開的封裝方法包括：提供待回流處理的封裝體，所述封裝體包括助焊劑；將所述封裝體在壓力隨時間發生改變的回流工藝下進行處理，以使得所述助焊劑分解成氣體并從所述封裝體中排出。本申請將包括助焊劑的封裝體進行特殊的回流處理，即在回流處理過程中使壓力隨時間發生改變，變化的壓力環境能夠促使助焊劑在回流過程中釋放的氣體從封裝體中排出，通過這樣的方式能夠提高封裝體的散熱效率，進而提高封裝體的可靠性。

技術領域

本申請涉及半導體封裝技術領域，特別是涉及一種封裝方法。

背景技術

芯片在運行過程中一般會產生熱量，為了降低該熱量對芯片的損傷，目前在芯片封裝時會在芯片表面引入金屬材質的導熱層。將導熱層焊接到芯片表面時，一般需要借助于助焊劑，助焊劑可以清除導熱層表面的氧化層和異物質，并提高浸潤性和焊接性。后續在回流工藝過程中，助焊劑發生分解進而去除。

由于助焊劑在分解過程中會釋放出氣體，進而可能使導熱層產生空洞，導致芯片與導熱層的接觸面積不足，散熱效率下降，進而降低封裝體的可靠性。

發明內容

本申請主要解決的技術問題是提供一種封裝方法，能夠減少回流過程中導熱層的空洞，提高散熱效率。

為解決上述技術問題，本申請采用的一個技術方案是：提供一種封裝方法，所述封裝方法包括：提供待回流處理的封裝體，所述封裝體包括助焊劑；將所述封裝體在壓力隨時間發生改變的回流工藝下進行處理，以使得所述助焊劑分解成氣體并從所述封裝體中排出。

其中，所述壓力隨時間發生改變的回流工藝，包括：所述回流工藝中所述壓力隨時間逐漸從初始壓力值變化為最終壓力值。其中，所述壓力與所述時間線性負相關。

或者，所述壓力隨時間發生改變的回流工藝，包括：所述回流工藝中所述壓力隨時間從初始壓力值階梯變化為最終壓力值。

其中，所述回流工藝中包括至少兩個第一區域以及位于所述第一區域之間的第二區域，其中，所述第一區域中所述壓力隨時間保持不變，所述第二區域中所述壓力隨時間逐漸變化。

其中，相鄰兩個所述第一區域分別具有第一壓力值和第二壓力值，處于相鄰兩個所述第一區域之間的所述第二區域的所述壓力隨時間從所述第一壓力值線性變化為所述第二壓力值。

或者，相鄰兩個所述第一區域分別具有第一壓力值和第二壓力值，處于相鄰兩個所述第一區域之間的所述第二區域的所述壓力隨時間先從所述第一壓力值線性變化為第三壓力值，再從所述第三壓力值線性變化為所述第二壓力值，其中，所述第三壓力值小于所述第一壓力值以及所述第二壓力值。

其中，所述回流工藝中所有所述第一區域所對應的壓力值隨時間依次減小，且所有所述第一區域對應的所述壓力值小于等于所述初始壓力值。

或者，所述回流工藝中至少部分所述第一區域所對應的壓力值隨時間依次增大，且至少部分所述第一區域對應的所述壓力值大于等于所述初始壓力值。

進一步地，所述提供待回流處理的封裝體包括：將芯片倒裝于基板上；在所述芯片遠離所述基板的一側表面設置導熱層，所述導熱層與所述芯片之間設置有所述助焊劑；在所述導熱層遠離所述芯片一側表面設置散熱蓋，所述導熱層與所述散熱蓋之間設置有所述助焊劑，所述散熱蓋包括朝向所述基板的側壁，至少部分所述側壁與所述基板表面之間具有縫隙；其中，所述縫隙用于供所述氣體排出。

本申請的有益效果是：區別于現有技術的情況，本申請將包括助焊劑的封裝體進行特殊的回流處理，即在回流處理過程中使壓力隨時間發生改變，變化的壓力環境能夠促使助焊劑在回流過程中釋放的氣體從封裝體中排出，降低氣體在封裝體中的殘余量，進而降低因氣體殘余導致的封裝體內出現空洞的情況，提高封裝體的散熱效率，進而提高封裝體的可靠性。

附圖說明