[發明專利]一種用于干法蝕刻中去除PSS襯底AlN涂層的方法

在審

• 申請號: 201911392843.X
• 申請日: 2019-12-30
• 公開（公告）號: CN111063615A
• 公開（公告）日: 2020-04-24
• 發明（設計）人: 張洋洋;于玉齋;丁建峰;魏明德
• 申請（專利權）人: 徐州同鑫光電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311
• 代理公司: 徐州市三聯專利事務所 32220
• 代理人: 許靜

本發明公開一種用于干法蝕刻中去除PSS襯底AlN涂層的方法，包括以下步驟：1)將帶有AlN涂層的PSS襯底，裝載到ICP進行干法蝕刻；2)在干法蝕刻時，使用氯基氣體，在一定溫度和壓力下對PSS襯底進行電離；3)通過偏置射頻電壓對等離子體進行加速，將沉積在PSS襯底表面的AlN涂層去除，保留原PSS襯底表面的圖形。本發明將帶有AlN涂層的PSS襯底通過干法蝕刻的方法，將AlN涂層均勻的去除，能夠降低成本，且去除AlN均勻性佳，保持原PSS圖形尺寸基本不變。

技術領域

本發明涉及一種用于干法蝕刻中去除PSS襯底AlN涂層的方法，屬于圖形化藍寶石襯底加工技術領域。

背景技術

圖形化藍寶石襯底(PSS)的加工過程中，為增加與外延MOCVD晶格匹配度，會在PSS表面沉積一層AlN涂層，厚度＜50納米。在沉積AlN涂層時，經常因各種原因，例如Particle(顆粒)過多，設備故障等，導致沉積失敗，導致PSS報廢。

發明內容

針對上述現有技術存在的問題，本發明提供一種用于干法蝕刻中去除PSS襯底AlN涂層的方法，將報廢PSS重新利用，降低成本，且去除AlN均勻性佳，保持原PSS圖形尺寸基本不變。

為了實現上述目的，本發明采用的一種用于干法蝕刻中去除PSS襯底AlN涂層的方法，包括以下步驟：

1)將帶有AlN涂層的PSS襯底，裝載到ICP進行干法蝕刻；

2)在干法蝕刻時，使用氯基氣體，在一定溫度和壓力下對PSS襯底進行電離；

3)通過偏置射頻電壓對等離子體進行加速，將沉積在PSS襯底表面的AlN涂層去除，保留原PSS襯底表面的圖形。

所述步驟2)的干法蝕刻時，腔體壓力控制在2-10mTorr。

所述步驟2)的干法蝕刻時，電離線圈射頻功率為1200-2000W。

所述步驟2)的干法蝕刻時，偏置射頻功率為300-600W。

所述步驟2)的干法蝕刻時，腔內溫度為35-80℃。

所述步驟2)的干法蝕刻時，氯基氣體的流量為60-200sccm。

所述步驟2)的干法蝕刻時，所述氯基氣體采用BCl₃。

所述步驟2)的干法蝕刻時，輔助采用氟基氣體或Ar。

采用的氟基氣體為CHF₃。

現有技術中，由于AlN圖形異常，會導致PSS報廢，極大增加運營成本。本發明將帶有AlN涂層的PSS襯底通過干法蝕刻的方法，將AlN涂層均勻的去除，能夠降低成本，且去除AlN均勻性佳，保持原PSS圖形尺寸基本不變。

附圖說明

圖1為本發明實施例1中PSS蝕刻量變化圖；

圖2為本發明的SEM圖；其中，圖A為帶有AlN涂層的PSS襯底，圖B為60s OverEtch；圖C為80s OverEtch。

具體實施方式

為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚明了，下面對本發明進行進一步詳細說明。但是應該理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，并不用于限制本發明的范圍。

除非另有定義，本文所使用的所有的技術術語和科學術語與屬于本發明的技術領域的技術人員通常理解的含義相同，本文中在本發明的說明書中所使用的術語只是為了描述具體的實施例的目的，不是旨在于限制本發明。

實施例1

一種用于干法蝕刻中去除PSS襯底AlN涂層的方法，包括以下步驟：