[發明專利]一種埋入式轉接板及其封裝結構的制造方法

有效

• 申請號: 201911392302.7
• 申請日: 2019-12-30
• 公開（公告）號: CN111128949B
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發明（設計）人: 丁才華;曹立強
• 申請（專利權）人: 上海先方半導體有限公司;華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 上海智晟知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31313
• 代理人: 張東梅

1.一種埋入式轉接板的封裝結構的制造方法，包括：

在轉接板的表面焊盤上形成凸起結構；

制作開孔介質層，所述開孔介質層的厚度小于所述凸起結構的高度，所述開孔介質層中具有與所述凸起結構對應的通孔；

將所述開孔介質層與所述轉接板對貼，使得所述凸起結構穿過所述開孔介質層內的通孔并從開孔介質層的頂面凸出出來；

填充所述開孔介質層內的通孔與所述凸起結構之間的間隙；

芯片與埋有轉接板的基板對貼。

2.如權利要求1所述的埋入式轉接板的封裝結構的制造方法，其特征在于，在轉接板的表面焊盤上形成凸起結構包括：

在轉接板的焊盤所在的整個表面濺射電鍍種子層；

在種子層表面上形成光阻材料層后，通過光刻工藝暴露轉接板表面的焊盤區域；

在轉接板的暴露區域沉積金屬并進行表面平坦化；

去除光阻和電鍍種子層，得到焊盤區域上的凸起結構。

3.如權利要求2所述的埋入式轉接板的封裝結構的制造方法，其特征在于，對凸起結構進行表面處理，在表面形成Ni-Au復合層。

4.如權利要求1所述的埋入式轉接板的封裝結構的制造方法，其特征在于，芯片與埋有轉接板的基板對貼包括將所述凸起結構與外接芯片進行互連。

5.如權利要求1所述的埋入式轉接板的封裝結構的制造方法，其特征在于，通過激光或者光刻技術在開孔介質層內形成通孔，所述開孔介質層內的通孔的截面面積大于所述凸起結構的截面面積，所述開孔介質層內的通孔的間距與所述凸起結構的間距相等。

6.如權利要求1所述的埋入式轉接板的封裝結構的制造方法，其特征在于，故通過壓合填充介質層完成填充所述開孔介質層內的通孔與所述凸起結構之間的間隙，然后使凸起結構的表面暴露。

7.一種通過權利要求1至6中任一項所述的方法形成的埋入式轉接板的封裝結構，包括：

設置在轉接板內部的一層或多層再布線層；

設置在轉接板表面的金屬焊盤；

設置在金屬焊盤上的凸起結構，其中所述凸起結構用于與外接芯片進行互連。

8.如權利要求7所述的埋入式轉接板的封裝結構，其特征在于，還包括開孔介質層，所述開孔介質層的厚度小于所述凸起結構的高度，所述開孔介質層中具有與所述凸起結構對應的通孔，所述開孔介質層與所述轉接板對貼，使得所述凸起結構穿過所述開孔介質層內的通孔并從開孔介質層的頂面凸出出來。

9.如權利要求8所述的埋入式轉接板的封裝結構，其特征在于，所述開孔介質層內的通孔的截面面積大于所述凸起結構的截面面積，所述開孔介質層內的通孔的間距與所述凸起結構的間距相等。

10.如權利要求8所述的埋入式轉接板的封裝結構，其特征在于，還包括填充介質層，所述填充介質層填充所述開孔介質層內的通孔與凸起結構之間的間隙。