[發明專利]增強型flash的計數方法及增強型flash有效
| 申請號: | 201911389103.0 | 申請日: | 2019-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN111243644B | 公開(公告)日: | 2020-10-20 |
| 發明(設計)人: | 徐光明 | 申請(專利權)人: | 深圳市芯天下技術有限公司 |
| 主分類號: | G11C16/06 | 分類號: | G11C16/06;G11C7/22 |
| 代理公司: | 深圳市順天達專利商標代理有限公司 44217 | 代理人: | 郭偉剛 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 增強 flash 計數 方法 | ||
本發明公開了一種增強型flash的計數方法及增強型flash,該方法包括:當時鐘信號的上升沿以及增加信號同時有效時,所述計數單元在初始值的基礎上增加1,得到當前的計數值,并將所述計數值輸入所述重映射單元;所述重映射單元對所述計數值進行高低位對換,得到經過重映射的計數值;所述非易失性存儲器控制單元將所述經過重映射的計數值寫入非易失性存儲器。通過本發明,實現了存在非易失性存儲器中的計數器的PE cycle相對均衡,從而使非易失性存儲器的尺寸減少,從而減少芯片面積。
技術領域
本發明涉及芯片技術領域,尤其涉及增強型flash的計數方法及增強型flash。
背景技術
目前,含有應答保護單調計算器(Replay Protection Monotonic Counter,RPMC)的增強型FLASH是Intel將主推的基本輸入輸出系統(Basic Input-Output System,BIOS)芯片,它包含一個大容量的Flash芯片和RPMC電路。其中,RPMC電路是設計的重點,RPMC電路的要求是非易失和單調遞增。為了滿足這一要求,目前的設計方法是用非易失性存儲器來直接對應四組32位的RPMC,因為每一組RPMC是32位,假設產品保證用10年,1分鐘更新5次,需要的PE cycle(擦除次數)是10x365x24x60x5=26,280,000而傳統的非易失性存儲器的PE cycle,只有100,000次,一組32位的RPMC就要8,410bits的非易失性存儲器,目前的設計方法需要太多的非易失性存儲器。
發明內容
本發明的主要目的在于解決現有技術中的增強型FLASH需要的非易失性存儲器過多的技術問題。
為實現上述目的,本發明提供一種增強型flash的計數方法,所述方法應用于增強型flash,所述增強型flash包括計數單元、重映射單元以及非易失性存儲器控制單元,所述方法包括:
當時鐘信號的上升沿以及增加信號同時有效時,所述計數單元在初始值的基礎上增加1,得到當前的計數值,并將所述計數值輸入所述重映射單元;
所述重映射單元對所述計數值進行高低位對換,得到經過重映射的計數值;
所述非易失性存儲器控制單元將所述經過重映射的計數值寫入非易失性存儲器。
可選的,在所述當時鐘信號的上升沿以及增加信號同時有效時,所述計數器在初始值的基礎上增加1,得到當前的計數值,并將所述計數值輸入所述重映射單元之后,還包括:
當時鐘信號的上升沿以及負載信號同時有效時,所述計數單元從所述重映射單元中加載數據,作為初始值。
可選的,所述計數值為32位數值。
可選的,所述重映射單元對所述計數值進行高低位對換,得到經過重映射的計數值包括:
所述重映射單元保持所述計數值的第16位以及第17位不變,并將第N位的值與第M位的值進行交換,得到經過重映射的計數值,其中,N=1,2,3,……,15,且N+M=33。
此外,為實現上述目的,本發明還提供一種增強型flash,所述增強型flash包括:
計數單元,用于當時鐘信號的上升沿以及增加信號同時有效時,在初始值的基礎上增加1,得到當前的計數值,并將所述計數值輸入所述重映射單元;
重映射單元,用于對所述計數值進行高低位對換,得到經過重映射的計數值;
非易失性存儲器控制單元,用于將所述經過重映射的計數值寫入非易失性存儲器。
可選的,所述計數單元用于:
當時鐘信號的上升沿以及負載信號同時有效時,從所述重映射單元中加載數據,作為初始值。
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