[發明專利]一種存儲器及其存儲單元

在審

• 申請號: 201911388733.6
• 申請日: 2019-12-30
• 公開（公告）號: CN111223511A
• 公開（公告）日: 2020-06-02
• 發明（設計）人: 溫靖康
• 申請（專利權）人: 深圳市芯天下技術有限公司
• 主分類號: G11C16/04
• 分類號: G11C16/04;G11C16/14;G11C16/08;G11C16/24
• 代理公司: 深圳市順天達專利商標代理有限公司 44217
• 代理人: 郭偉剛

本發明提出了一種存儲器及其存儲單元。存儲單元，包括兩個晶體管(Q1)；所述兩個晶體管(Q1)的柵極之間通過字線電性連接，所述兩個晶體管(Q1)的漏極之間通過位線電性連接，所述兩個晶體管(Q1)的源極之間通過源極線電性連接。本發明所提出的存儲器及其存儲單元設計新穎，實用性強。

技術領域

本發明涉及存儲技術領域，尤其涉及一種存儲器及其存儲單元。

背景技術

隨著用戶對其應用體驗的要求越來越高，各種設備對非易失性存儲器擦除速度和耐久性的要求也越來越高，其中，在NOR Flash狀態寄存器擦除編程循環10萬次之后，其擦除時間仍需保證小于50ms甚至應小于20ms。傳統NOR Flash狀態寄存器的存儲單元大多數無法滿足該要求。傳統NOR Flash狀態寄存器在反復擦除編程后，其存儲單元的擦除性能越來越差。

如圖1-圖3所示，圖1是一種現有NOR Flash狀態寄存器的存儲單元陣列示意圖；圖2為圖1所示的NOR Flash狀態寄存器的存儲單元的閾值電壓在擦除過程中的變化示意圖；圖3為圖1所示的NOR Flash狀態寄存器的存儲單元的閾值電壓在編程過程中的變化示意圖。在圖1中，MC0、MC1、MC2、MC3均是存儲單元。在圖2中，存儲單元由OFF狀態變為ON狀態，其閾值電壓由6-8V變為1-3V；在圖3中，存儲單元由ON狀態變為OFF狀態，其閾值電壓由1-3V變為6-8V。目前優化NOR Flash狀態寄存器的擦除耐久性性能主要有以下兩個方向：

其一是提高擦除操作時加在作為存儲單元的晶體管的源極和柵極之間的壓差，讓存儲單元的擦除強度更高。圖4是圖1所示的NOR Flash狀態寄存器的存儲單元在被擦除時源極和柵極的電壓的一個實施例的分布示意圖；如圖4中所示，存儲單元的柵極和源極之間的電壓差越大，存儲單元越容易被擦除；然而，該電壓差越大，越容易達到擊穿存儲單元的擊穿電壓，多次擦除編程循環后，存儲單元容易受到損傷甚至失效。

其二是降低存儲單元的完成擦除的條件，即提高用于校驗存儲單元完成擦除的柵極擦除校驗電壓。圖5是NOR Flash狀態寄存器的存儲單元的閾值電壓的分布示意圖。如圖5所示，柵極擦除校驗電壓增大，即如圖5所示右移，擦除過程更容易完成，但是柵極擦除校驗電壓的增大，會縮小柵極擦除校驗電壓和存儲單元在讀操作時的字線電壓之間的壓差，影響讀的速度，如果同時將柵極擦除校驗電壓和字線電壓等幅度提高，又會影響數據“0”的數據儲存能力。

發明內容

本發明針對上述技術問題，提出了一種存儲器及其存儲單元。

本發明所提出的技術方案為：

本發明提出了一種存儲單元，包括兩個晶體管；所述兩個晶體管的柵極之間通過字線電性連接，所述兩個晶體管的漏極之間通過位線電性連接，所述兩個晶體管的源極之間通過源極線電性連接。

本發明還提出了一種存儲器，包括多個如上所述的存儲單元；從該多個存儲單元中抽取的兩個存儲單元的連接方式的組合有兩種；

其中一種組合為：所抽取的兩個存儲單元沒有共用同一字線；該兩個存儲單元的晶體管的漏極通過共用同一位線電性連接；該兩個存儲單元的晶體管的源極通過共用同一源極線電性連接；

另外一種組合為：所抽取的兩個存儲單元的晶體管的柵極通過共用同一字線電性連接；該兩個存儲單元沒有共用同一位線；該兩個存儲單元的晶體管的源極通過共用同一源極線電性連接。

本發明又提出了一種存儲器，包括多個如上所述的存儲單元；從該多個存儲單元中抽取的兩個存儲單元的連接方式的組合只有一種；

該組合為：所抽取的兩個存儲單元沒有共用同一字線；該兩個存儲單元的晶體管的漏極通過共用同一位線電性連接；該兩個存儲單元的晶體管的源極通過共用同一源極線電性連接。