[發明專利]一種基于遷移學習確定EUV掩膜版缺陷尺寸的方法

有效

• 申請號: 201911388193.1
• 申請日: 2019-12-30
• 公開（公告）號: CN111145162B
• 公開（公告）日: 2023-04-18
• 發明（設計）人: 陳穎;董立松;陳睿;吳睿軒;粟雅娟;韋亞一
• 申請（專利權）人: 南京誠芯集成電路技術研究院有限公司
• 主分類號: G06T7/00
• 分類號: G06T7/00;G06N3/0464;G06N3/08
• 代理公司: 南京中盟科創知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32279
• 代理人: 江冬萍

1.一種基于遷移學習確定EUV掩膜版缺陷尺寸的方法，其特征在于，包括以下步驟，

S1：針對兩種類型的EUV掩膜版缺陷，在已知的、不同的缺陷尺寸的情況下，通過光刻機投影得到空間像分布，分別收集2000個bump樣本和197個pit樣本；

S2：整理兩種樣本數據，針對bump樣本和pit樣本，分別分出名為訓練集和測試集兩部分數據；

S3：針對bump樣本，利用機器學習算法和訓練集中的樣本數據，建立并調試EUV掩膜版缺陷尺寸檢測模型；

S4：采用測試集中的bump樣本數據，對EUV掩膜版缺陷尺寸檢測模型進行測試，若測試失敗則返回步驟S3，若測試通過進入下一步；

S5：在S3和S4訓練出的EUV掩膜版缺陷尺寸檢測模型的基礎上，采用pit樣本的訓練集數據，進一步調試EUV掩膜版缺陷尺寸檢測模型，并采用pit樣本測試集中的樣本數據，對EUV掩膜版缺陷尺寸檢測模型進行測試。

2.根據權利要求1所述的一種基于遷移學習確定EUV掩膜版缺陷尺寸的方法，其特征在于，所述S1中，在EUV掩膜版光板上分別設計bump和pit兩種缺陷，并分別設置不同的缺陷尺寸大小，通過光刻機投影，收集在焦平面位置的空間像分布。

3.根據權利要求1所述的一種基于遷移學習確定EUV掩膜版缺陷尺寸的方法，其特征在于，所述S2中，針對bump樣本，采用隨機抽樣的方式，選取1600個結果作為訓練集，選取400個結果作為測試集；針對pit樣本，采用隨機抽樣的方式，選取158個結果作為訓練集，選取39個結果作為測試集。

4.根據權利要求1所述的一種基于遷移學習確定EUV掩膜版缺陷尺寸的方法，其特征在于，所述S4中，bump樣本測試失敗為，標準定義的檢測值與真值的平均偏差率在5％以上，所述標準定義的檢測值是利用數學模型，光刻空間像結果下得到的模型預測值；所述真值是該光刻空間像對應的真實缺陷尺寸。

5.根據權利要求2所述的一種基于遷移學習確定EUV掩膜版缺陷尺寸的方法，其特征在于，所述S5中，針對pit樣本進行訓練時，是在步驟S3和S4中得到的針對bump樣本的尺寸預測模型的基礎上，進行的調試訓練，模型架構一致，初始參數為bump樣本預測模型的參數。

6.根據權利要求1所述的一種基于遷移學習確定EUV掩膜版缺陷尺寸的方法，其特征在于，所述機器學習算法采用卷積神經網絡實現，直接將空間像作為網絡的輸入，自動提取特征進行訓練，所述卷積神經網絡包括輸入層、卷積層、池化層、全連接和輸出層；所述輸入層為訓練集中的二維空間像結果，所述輸出層為輸入層二維結果所對應的掩膜版缺陷尺寸。