[發明專利]電阻測試結構及方法

在審

• 申請號: 201911386695.0
• 申請日: 2019-12-30
• 公開（公告）號: CN113125853A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 蔣樂樂;陸宇;馬松;沈立
• 申請（專利權）人: 海安集成電路技術創新中心;海安芯潤集成電路科技有限公司;上海北京大學微電子研究院
• 主分類號: G01R27/02
• 分類號: G01R27/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種通孔電阻測試結構，其特征在于，包括：

多個子測試結構，所述子測試結構包含同一層的多個通孔單元和連接這些通孔的互連線，所述子測試結構中的通孔單元和互連線構成一條通孔鏈結構；其中，

各子測試結構中，通孔單元內有通孔，且所有通孔面積相等，

各子測試結構中，互連線部分由上下兩層互連線組成，

各子測試結構中，互連線部分由多個連接通孔的短線組成，

各子測試結構中，上下層互連線在通孔位置有重疊區域。

2.如權利要求1所述的測試結構，其特征在于，各子測試結構之間，互連線部分完全相同。

3.如權利要求1所述的測試結構，其特征在于，各子測試結構中，上下兩層互連短線在通孔單元內有重疊區域，

且每個重疊區域的面積大于2個通孔面積。

4.如權利要求1所述的測試結構，其特征在于，各子測試結構中，各通孔單元的通孔數相等。

5.如權利要求1所述的測試結構，其特征在于，各子測試結構之間，各通孔單元的通孔數不相等。

6.一種采用權利要求1～5中任一項權利要求所述的測試結構，測量互連線通孔電阻的方法，其特征在于，包括：

制作包含各子測試結構的測試芯片；

分別測試各子測試結構中通孔鏈的電阻；

分析各子測試結構的通孔鏈電阻值與相應子測試結構通孔單元內通孔個數的對應關系；

根據所述對應關系，在直角坐標系中描點，畫線；

根據所得直線，其在縱坐標上的截距作為子測試結構中互連線部分電阻；

根據所得直線，其斜率作為通孔單元內為1個通孔條件下的子測試結構中，所有通孔的電阻和；

根據所得通孔電阻和，除以該通孔鏈中的總通孔數，作為單個通孔的電阻。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述對應關系為：

其中，Ri代表所述第i個子測試結構的通孔鏈電阻測試值；R_L代表所述各子測試結構中互連線部分的電阻值；m_i代表各子測試結構中每個通孔單元的通孔數；R₀代表所述子測試結構中每個通孔單元的通孔數為1時，該子測試結構中所有通孔的電阻和。

8.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述在坐標中中描點畫線包括：

以所述各子測試結構中通孔鏈的測試電阻，作為縱坐標；

以所述各子測試結構在每個通孔單元的通孔數為橫坐標；

將所得數據用所述方法描點；

將所得點連接為一條直線。

9.上述1～8所述的測試結構及測試方法同樣適用于對poly和metall層之間的接觸孔電阻的測試。