[發(fā)明專利]光子晶體及其制備方法和發(fā)光二極管有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911383366.0 | 申請(qǐng)日: | 2019-12-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113046082B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-08-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 葉煒浩 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | TCL科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | C09K11/88 | 分類號(hào): | C09K11/88;H01L33/02;H01L33/18 |
| 代理公司: | 深圳中一聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414 | 代理人: | 方良 |
| 地址: | 516006 廣東省惠州市*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光子 晶體 及其 制備 方法 發(fā)光二極管 | ||
1.一種光子晶體,其特征在于,包括本體結(jié)構(gòu)及多個(gè)量子點(diǎn),所述本體結(jié)構(gòu)形成有能夠容置空氣的微腔,所述微腔的側(cè)壁由稀土發(fā)光材料和分散在所述稀土發(fā)光材料中的量子點(diǎn)構(gòu)成,所述量子點(diǎn)能夠吸收稀土發(fā)光材料產(chǎn)生的部分發(fā)射光,所述量子點(diǎn)與所述稀土發(fā)光材料形成復(fù)合物;所述光子晶體的光子帶隙能夠部分抑制由所述光子晶體內(nèi)部的所述稀土發(fā)光材料產(chǎn)生的且不由所述量子點(diǎn)吸收的發(fā)射光,所述稀土發(fā)光材料選自稀土離子摻雜的無(wú)機(jī)納米材料,所述稀土發(fā)光材料中的稀土離子選自Ce3+、Ce4+、Pr3+、Pr4+、Pr5+、Nd3+、Sm2+、Sm3+、Eu2+、Eu3+、Gd3+、Tb3+、Tb4+、Dy3+、Dy4+、Er3+、Tm3+、Yb2+、Yb3+中的至少一種,所述量子點(diǎn)選自II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物和IV族單質(zhì)中的至少一種。
2.如權(quán)利要求1所述的光子晶體,其特征在于,所述本體結(jié)構(gòu)為反蛋白石結(jié)構(gòu);和/或,
所述量子點(diǎn)表面包覆有二氧化硅層。
3.如權(quán)利要求2所述的光子晶體,其特征在于,所述本體結(jié)構(gòu)中有直徑為200-500 nm的微腔,所述微腔的側(cè)壁由所述稀土發(fā)光材料和分散在所述稀土發(fā)光材料中的量子點(diǎn)構(gòu)成;和/或
所述本體結(jié)構(gòu)是厚度為1-10μm的膜;和/或,
所述二氧化硅層的厚度為0.5-1nm;和/或,
所述二氧化硅層表面連接有硅烷偶聯(lián)劑,其中,所述硅烷偶聯(lián)劑中的硅烷氧基與所述二氧化硅層相結(jié)合,所述硅烷偶聯(lián)劑中的有機(jī)官能基與所述稀土發(fā)光材料相結(jié)合;和/或,
所述量子點(diǎn)表面結(jié)合有含巰基的配體,且所述含巰基的配體位于所述量子點(diǎn)和所述二氧化硅層之間。
4.如權(quán)利要求1所述的光子晶體,其特征在于,所述稀土發(fā)光材料的摩爾量與所述量子點(diǎn)的質(zhì)量之比為(1-4)mol:(50-100)mg。
5.一種光子晶體的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
形成含有稀土發(fā)光材料前驅(qū)體和量子點(diǎn)的混合溶液;
提供結(jié)構(gòu)模板,將所述混合溶液加入所述結(jié)構(gòu)模板的間隙中,并煅燒處理去除所述結(jié)構(gòu)模板,以形成如權(quán)利要求1所述的光子晶體。
6.如權(quán)利要求5所述的光子晶體的制備方法,其特征在于,所述混合溶液中的量子點(diǎn)表面包覆有二氧化硅層;和/或,
所述混合溶液中的量子點(diǎn)表面結(jié)合有含巰基的配體;和/或,
所述混合溶液中的稀土發(fā)光材料前驅(qū)體包括稀土化合物和無(wú)機(jī)基質(zhì)前驅(qū)體;和/或,
所述混合溶液中的所述稀土發(fā)光材料前驅(qū)體中的無(wú)機(jī)基質(zhì)前驅(qū)體的摩爾量與所述量子點(diǎn)的質(zhì)量之比為(1-4)mol:(50-100)mg。
7.如權(quán)利要求5所述的光子晶體的制備方法,其特征在于,將所述混合溶液加入所述結(jié)構(gòu)模板的間隙中:將所述混合溶液與所述結(jié)構(gòu)模板混合,然后靜置處理;和/或,
所述煅燒處理的步驟包括:以0.5-2℃/min的升溫速度升溫至400-1000℃進(jìn)行煅燒;和/或,
所述結(jié)構(gòu)模板為蛋白石模板,所述結(jié)構(gòu)模板由直徑為200-500 nm的聚合物微球組成。
8.一種發(fā)光二極管,包括陽(yáng)極、陰極以及位于所述陽(yáng)極和陰極之間的發(fā)光層,其特征在于,所述發(fā)光層由權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的光子晶體或權(quán)利要求5-7任一項(xiàng)所述的制備方法得到的光子晶體組成。
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