[發明專利]一種具有電磁屏蔽功能的芯片堆疊封裝體及其制備方法

有效

• 申請號: 201911382618.8
• 申請日: 2019-12-27
• 公開（公告）號: CN111128901B
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發明（設計）人: 狄雋;王升旭;王志明;王強濟;岳超;許蘭鋒
• 申請（專利權）人: 航天科工微系統技術有限公司
• 主分類號: H01L23/29
• 分類號: H01L23/29;H01L23/31;H01L23/552;H01L25/065
• 代理公司: 北京天達知識產權代理事務所(普通合伙) 11386
• 代理人: 楊光

1.一種具有電磁屏蔽功能的芯片堆疊封裝體，其特征在于，包括微波/毫米波裸芯片（101）和用于封裝微波/毫米波裸芯片（101）的封裝結構，封裝結構包括依次設置于微波/毫米波裸芯片（101）上的封裝介質層（107）和封裝金屬布線層（109），所述封裝金屬布線層（109）用于引出來自裸芯片表層金屬（106）的信號；

所述微波/毫米波裸芯片（101）包括由下向上設置的裸芯片背金（103）、襯底（104）、裸芯片介質層（105）和裸芯片表層金屬（106）；

所述微波/毫米波裸芯片（101）設置有穿過襯底（104）的圓柱狀金屬化孔（102）；

所述封裝介質層（107）設有封裝金屬化孔（108）；

所述封裝金屬布線層（109）的頂面平整，構成金屬地平面；

所述封裝金屬布線層（109）上的金屬地平面通過所述封裝金屬化孔（108）、所述裸芯片表層金屬（106）、所述圓柱狀金屬化孔（102）與所述裸芯片背金（103）相連接，并且有效接地；

所述封裝介質層（107）和所述封裝金屬布線層（109）分別至少有兩層；所述封裝介質層（107）的厚度為8~10um；

在最上層的封裝金屬布線層（109）的表面采用燒結或粘接方式堆疊其它芯片（110），完成芯片堆疊封裝。

2.根據權利要求1所述的具有電磁屏蔽功能的芯片堆疊封裝體，其特征在于，所述封裝金屬布線層（109）采用沉積金屬金形成。

3.根據權利要求1所述的具有電磁屏蔽功能的芯片堆疊封裝體，其特征在于，封裝金屬化孔（108）通過在封裝介質層（107）上設置開窗（111），再經沉積金屬形成。

4.根據權利要求3所述的具有電磁屏蔽功能的芯片堆疊封裝體，其特征在于，所述沉積金屬為金。

5.根據權利要求1至4任一項所述的具有電磁屏蔽功能的芯片堆疊封裝體，其特征在于，所述封裝介質層（107）采用聚酰亞胺材料。

6.一種如權利要求1至5任一項所述的具有電磁屏蔽功能的芯片堆疊封裝體的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一：在待封裝的微波/毫米波裸芯片（101）表面設置封裝介質層（107）；

步驟二：在封裝介質層（107）上設置開窗（111）；

步驟三：在開窗后的封裝介質層（107）上設置阻擋層（113），并在阻擋層（113）上刻蝕出待布設種子層（112）的區域；

采用氣相沉積方法在開窗后的封裝介質層（107）上依次形成種子層（112）和金屬線層，種子層（112）和金屬線層共同構成封裝金屬布線層（109）；

步驟四：去除阻擋層（113），完成單層微波/毫米波裸芯片（101）的封裝，形成單層芯片封裝體。

7.根據權利要求6所述的具有電磁屏蔽功能的芯片堆疊封裝體的制備方法，其特征在于，步驟一中，對待封裝的微波/毫米波裸芯片（101）表面進行清潔處理，采用勻膠機在微波/毫米波裸芯片（101）表面涂覆一層封裝介質層（107）。