[發明專利]一種增益峰可調的鍺硅光電探測器

有效

• 申請號: 201911382300.X
• 申請日: 2019-12-27
• 公開（公告）號: CN111129200B
• 公開（公告）日: 2021-08-13
• 發明（設計）人: 張紅廣;肖希;王磊;胡曉;陳代高;李維忠
• 申請（專利權）人: 武漢光谷信息光電子創新中心有限公司
• 主分類號: H01L31/101
• 分類號: H01L31/101;H01L31/02
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 李路遙;張穎玲

1.一種增益峰可調的鍺硅光電探測器，所述鍺硅光電探測器自下而上包括硅襯底層，埋氧層，硅波導層和鍺有源層和絕緣覆蓋層，其特征在于，所述鍺硅光電探測器還包括布置在所述鍺有源層上的可調的帶寬增益組件，其中，所述可調的帶寬增益組件包括間隔預定距離的石墨烯信號導線和控制電極，并且所述控制電極配置為對所述石墨烯信號導線施加可變電壓，以實現增益峰值的調節。

2.根據權利要求1所述的鍺硅光電探測器，其中，所述石墨烯信號導線與所述鍺有源層直接接觸。

3.根據權利要求1所述的鍺硅光電探測器，其中，所述石墨烯信號導線具有折返的U形形狀或回形形狀。

4.根據權利要求1所述的鍺硅光電探測器，其中，所述墨烯信號導線可以使用轉移的方法與鍺硅光電探測器集成。

5.根據權利要求1所述的鍺硅光電探測器，其中，所述控制電極位于所述石墨烯信號導線正上方，并且與所述石墨烯信號導線具有相同的走向。

6.根據權利要求1所述的鍺硅光電探測器，其中，所述硅波導層具有模斑轉換結構。

7.根據權利要求1-6中任一項所述的鍺硅光電探測器，其中所述鍺硅光電探測器還包括位于最外層的保護層。