[發明專利]一種半導體芯片埋入式線路板及其加工方法、加工裝置

有效

• 申請號: 201911382066.0
• 申請日: 2019-12-27
• 公開（公告）號: CN111010815B
• 公開（公告）日: 2021-11-09
• 發明（設計）人: 鄧明;潘麗;吳育熾;董異文
• 申請（專利權）人: 安捷利（番禺）電子實業有限公司
• 主分類號: H05K3/30
• 分類號: H05K3/30;H05K1/18;H05K3/00;H05K3/42
• 代理公司: 廣州新諾專利商標事務所有限公司 44100
• 代理人: 羅毅萍

1.一種半導體芯片埋入式線路板加工方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、將半導體芯片通過導電膠貼在第一層銅箔上；

S2、在所述半導體芯片上層壓介質層和第二層銅箔，通過鉆孔及孔鍍銅使得所述半導體芯片的三極與所述第二層銅箔導通；

S3、在所述第一層銅箔和第二層銅箔表面進行圖形線路制作以形成線路板，所述圖形線路將所述半導體芯片的三極短接；進行圖形線路制作時，將所述半導體芯片的三極的短接線路設置為經過預設的產品切割線路；在使用所述加工方法制作埋有多個半導體芯片的線路板時，將所述多個半導體芯片的三極通過圖形線路連接至同一地；

S4、切割所述線路板時切斷所述半導體芯片的三極的短接線路，得到成型產品。

2.如權利要求1所述的半導體芯片埋入式線路板加工方法，其特征在于，所述多個半導體芯片的三極通過圖形線路連接至環形地線，所述環形地線設置于所述線路板的邊緣。

3.如權利要求2所述的半導體芯片埋入式線路板加工方法，其特征在于，所述步驟S2具體包括：

S21、用激光鉆孔或機械鉆孔在所述半導體芯片與所述第二層銅箔間和所述第一層銅箔間形成盲孔；

S22、對所述盲孔去鉆污；

S23、對所述盲孔進行孔鍍銅以使得所述半導體芯片的三極連接至所述第二層銅箔和所述第一層銅箔。

4.如權利要求3所述的半導體芯片埋入式線路板加工方法，其特征在于，步驟S3還包括：

在所述第一層銅箔和第二層銅箔表面進行阻焊層和可焊性涂覆層的制作。

5.如權利要求1或3所述的半導體芯片埋入式線路板加工方法，其特征在于，所述孔鍍銅的方式為化學鍍銅或電鍍銅。

6.如權利要求1所述的半導體芯片埋入式線路板加工方法，其特征在于，所述導電膠為導電銀漿、異向導電膏、異向導電膜或異向導電的液態材料。

7.一種半導體芯片埋入式線路板加工裝置，其特征在于，包括：

貼片設備，用于將半導體芯片通過導電膠貼在第一層銅箔上；

層壓設備，用于在所述半導體芯片上層壓介質層和第二層銅箔；

孔加工設備，用于通過鉆孔及孔鍍銅使得所述半導體芯片的三極與所述第二層銅箔、所述第一層銅箔導通；

線路制作設備，用于在所述第一層和所述第二層銅箔表面進行圖形線路制作以形成線路板，所述圖形線路將所述半導體芯片的三極短接；進行圖形線路制作時，將所述半導體芯片的三極的短接線路設置為經過預設的產品切割線路；

切割設備，用于切割所述線路板時切斷所述半導體芯片的三極的短接線路，得到成型產品。

8.一種半導體芯片埋入式線路板，其特征在于，其是通過如權利要求1-6任一項所述的埋入式線路板加工方法加工而成，或通過如權利要求7所述的埋入式線路板加工裝置加工而成。