[發(fā)明專利]一種納米材料及其制備方法與量子點(diǎn)發(fā)光二極管

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911382062.2
• 申請(qǐng)日: 2019-12-27
• 公開（公告）號(hào): CN113054143A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭煜林;吳龍佳;張?zhí)焖?/a>;李俊杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TCL集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/54
• 分類號(hào): H01L51/54;H01L51/50;H01L51/56;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 深圳市君勝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;吳志益

本發(fā)明公開一種納米材料及其制備方法與量子點(diǎn)發(fā)光二極管，所述納米材料包括：ZnO納米顆粒，所述ZnO納米顆粒中摻雜有In元素和S元素。本發(fā)明提供了一種施主(In)和受主(S)共摻雜ZnO納米顆粒的納米材料作為器件的電子傳輸層材料，通過引入新的元素(In、S)取代ZnO材料中部分的Zn、O元素，形成新的化學(xué)鍵。通過形成新的化學(xué)鍵，來調(diào)節(jié)材料本征電子結(jié)構(gòu)，降低氧化鋅的電阻率及禁帶寬度，提高其導(dǎo)電能力，促進(jìn)電子從電子傳輸層進(jìn)入量子點(diǎn)發(fā)光區(qū)域，提高電子?空穴在器件中的復(fù)合效率，從而提升顯示器件的效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及量子點(diǎn)發(fā)光器件領(lǐng)域，尤其涉及一種納米材料及其制備方法與量子點(diǎn)發(fā)光二極管。

背景技術(shù)

為了滿足日益增長的顯示需求，量子點(diǎn)發(fā)光二極管(quantum dot light-emitting diode，QLED)應(yīng)運(yùn)而生。量子點(diǎn)(QDs)由于具有熒光峰尺寸可調(diào)，高亮度、高量子產(chǎn)率、高色純度、較寬的色域、易于加工、穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)，因此得到廣泛關(guān)注。

近年來，無機(jī)半導(dǎo)體作為器件的電子傳輸層成為比較熱的研究內(nèi)容。氧化鋅(ZnO)是一種具有直接寬帶隙(3.37eV)的重要半導(dǎo)體，具有穩(wěn)定性好、透明度高、安全無毒等優(yōu)點(diǎn)，已成為一種常用的電子傳輸層材料。為了提高量子點(diǎn)顯示器件的效率，改善ZnO電子傳輸層在器件中的電子傳輸效率成為目前研究的熱點(diǎn)。

因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種納米材料及其制備方法與量子點(diǎn)發(fā)光二極管，旨在解決現(xiàn)有量子點(diǎn)發(fā)光二極管中ZnO電子傳輸層的電子傳輸效率不高的問題。

本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

一種納米材料，其中，所述納米材料包括：ZnO納米顆粒，所述ZnO納米顆粒中摻雜有In元素和S元素。

一種納米材料的制備方法，其中，包括步驟：

將鋅鹽、銦鹽與有機(jī)溶劑混合，得到第一混合溶液；

將硫源與堿液混合，得到第二混合溶液；

將所述第一混合溶液與所述第二混合溶液混合，進(jìn)行反應(yīng)處理，獲得所述納米材料；

其中，所述納米材料包括ZnO納米顆粒，所述ZnO納米顆粒中摻雜有In元素和S元素。

一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管，包括：相對(duì)設(shè)置的陽極以及陰極、設(shè)置在所述陽極和陰極之間的量子點(diǎn)發(fā)光層、設(shè)置在所述陰極和量子點(diǎn)發(fā)光層之間的電子傳輸層。其中，形成所述電子傳輸層的材料包括前面描述的納米材料或利用前面描述的制備方法制備得到的納米材料。

有益效果：本發(fā)明提供了一種施主(In)和受主(S)共摻雜ZnO納米顆粒的納米材料作為器件的電子傳輸層材料，通過引入新的元素(In、S)取代ZnO材料中部分的Zn、O元素，形成新的化學(xué)鍵。通過形成新的化學(xué)鍵，來調(diào)節(jié)材料本征電子結(jié)構(gòu)，降低氧化鋅的電阻率及禁帶寬度，提高其導(dǎo)電能力，促進(jìn)電子從電子傳輸層進(jìn)入量子點(diǎn)發(fā)光區(qū)域，提高電子-空穴在器件中的復(fù)合效率，從而提升顯示器件的效率。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例中提供的一種納米材料的制備方法的流程示意圖。

圖2為本發(fā)明實(shí)施例中提供的一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明提供一種納米材料及其制備方法與量子點(diǎn)發(fā)光二極管，為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及效果更加清楚、明確，以下對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種納米材料，其中，所述納米材料包括：ZnO納米顆粒，所述ZnO納米顆粒中摻雜有In元素和S元素。