[發(fā)明專(zhuān)利]一種濾波器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911381887.2 | 申請(qǐng)日: | 2019-12-27 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN110957553A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-04-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王旭 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 華勤通訊技術(shù)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01P1/20 | 分類(lèi)號(hào): | H01P1/20 |
| 代理公司: | 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291 | 代理人: | 郝志國(guó) |
| 地址: | 201210 上海市浦東*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 濾波器 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種濾波器,包括:介質(zhì)基板、位于介質(zhì)基板上表面的半模基片集成波導(dǎo)、諧振器、輸入饋線(xiàn)和輸出饋線(xiàn);位于介質(zhì)基板下表面的金屬接地板,輸入饋線(xiàn)與所述半模基片集成波導(dǎo)的第一端相連,輸出饋線(xiàn)與半模基片集成波導(dǎo)的第二端相連,諧振器與半模基片集成波導(dǎo)上金屬通孔所在側(cè)的對(duì)側(cè)相連且諧振器位于第一端和所述第二端之間,諧振器與半模基片集成波導(dǎo)之間形成具有縫隙的空腔,本發(fā)明濾波器的諧振器與半模基片集成波導(dǎo)之間形成具有縫隙的空腔使得信號(hào)在通過(guò)濾波器時(shí)產(chǎn)生了交叉耦合,在半模基片集成波導(dǎo)基礎(chǔ)上加載的諧振器降低了整個(gè)濾波器的諧振頻率,減小了濾波器的體積。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及通信技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種濾波器。
背景技術(shù)
近年來(lái),隨著通信技術(shù)的飛速發(fā)展,微波和毫米波通信器件引起了越來(lái)越多的關(guān)注,在微波和毫米波通信系統(tǒng)中,有些無(wú)源器件比如天線(xiàn)、濾波器等,因?yàn)轶w積太大或是性能達(dá)不到要求而不能將它們和有源器件集成在一個(gè)芯片組上,但是可以通過(guò)系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)將它們封裝到一個(gè)系統(tǒng)中。在頻率不高的情況下,系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)可以用傳統(tǒng)的毫米波器件比如微帶線(xiàn)和共面波導(dǎo)來(lái)實(shí)現(xiàn),而在高頻率下,由于其傳輸損耗和輻射損耗的增大,難以滿(mǎn)足高性能、低損耗和高可靠性等現(xiàn)代通信器件的要求。由此,基片集成波導(dǎo)(substrateintegrated waveguide,SIW)技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生,SIW可以在介質(zhì)基片上實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)的金屬波導(dǎo)傳輸特性,兼有矩形波導(dǎo)和微帶器件的優(yōu)點(diǎn),在此基礎(chǔ)上,半模基片集成波導(dǎo)(half-modesubstrate integrated waveguide,HMSIW)由于其寬度近似為SIW的一半,有效地減小了輻射損耗且尺寸只有SIW的一半左右受到了大眾的青睞。
然而,隨著集成電路的發(fā)展,對(duì)器件的小型化由越來(lái)越高的要求,如何在使得濾波器達(dá)到性能要求的情況下縮小體積成了當(dāng)下亟待解決的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供一種濾波器,用以解決如何在保證濾波器性能不變的前提下,縮小濾波器的體積的問(wèn)題。
第一方面,本發(fā)明實(shí)施例提供一種濾波器,包括:介質(zhì)基板、位于所述介質(zhì)基板上表面的半模基片集成波導(dǎo)、諧振器、輸入饋線(xiàn)和輸出饋線(xiàn);位于所述介質(zhì)基板下表面的金屬接地板;所述輸入饋線(xiàn)與所述半模基片集成波導(dǎo)的第一端相連;所述輸出饋線(xiàn)與所述半模基片集成波導(dǎo)的第二端相連;
所述諧振器與所述半模基片集成波導(dǎo)上金屬通孔所在側(cè)的對(duì)側(cè)相連且所述諧振器位于所述第一端和所述第二端之間;所述諧振器與所述半模基片集成波導(dǎo)之間形成具有縫隙的空腔。
上述方案,電磁波被限制在金屬孔和上下金屬邊界形成的腔體內(nèi),諧振器與半模基片集成波導(dǎo)之間形成具有縫隙的空腔使得信號(hào)在通過(guò)濾波器時(shí)產(chǎn)生了交叉耦合,使得濾波器在通帶兩端各有一個(gè)傳輸零點(diǎn),帶外抑制顯著提高,在半模基片集成波導(dǎo)基礎(chǔ)上加載的諧振器降低了整個(gè)濾波器的諧振頻率,減小了濾波器的體積。
可選的,所述縫隙位于所述第一端和所述第二端之間連線(xiàn)的中心線(xiàn)上。
需要說(shuō)明的是,諧振器與半模基片集成波導(dǎo)之間形成具有縫隙的空腔使得信號(hào)在通過(guò)濾波器時(shí)產(chǎn)生了交叉耦合可以更好的實(shí)現(xiàn)本申請(qǐng)實(shí)施例所提供的濾波器的帶通功能。
可選的,所述諧振器包括第一彎折結(jié)構(gòu)和第二彎折結(jié)構(gòu);所述第一彎折結(jié)構(gòu)、所述第二彎折結(jié)構(gòu)與所述半模基片集成波導(dǎo)之間形成所述空腔;所述第一彎折結(jié)構(gòu)的開(kāi)路端與所述第二彎折結(jié)構(gòu)的開(kāi)路端之間形成所述縫隙。
可選的,所述第一彎折結(jié)構(gòu)與所述第二彎折結(jié)構(gòu)為關(guān)于所述中心線(xiàn)的對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)。
上述方案,基于電磁理論,當(dāng)?shù)谝粡澱劢Y(jié)構(gòu)與第二彎折結(jié)構(gòu)關(guān)于中心線(xiàn)呈對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)時(shí),可以更好的實(shí)現(xiàn)本申請(qǐng)實(shí)施例所提供的濾波器的帶通功能。
可選的,所述第一彎折結(jié)構(gòu)與所述半模基片集成波導(dǎo)的連接點(diǎn)靠近所述第一端;所述連接點(diǎn)與所述第一端之間的第一距離小于所述連接點(diǎn)與所述中心線(xiàn)的第二距離。
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