[發(fā)明專利]一種多級調(diào)節(jié)光強(qiáng)的閃爍體在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911380982.0 | 申請日: | 2019-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN110967723A | 公開(公告)日: | 2020-04-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 江亞林;秦海明;王新佳 | 申請(專利權(quán))人: | 寧波虔東科浩光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G01T1/20 | 分類號: | G01T1/20 |
| 代理公司: | 廣州博士科創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44663 | 代理人: | 李永鋒 |
| 地址: | 315000 浙江省寧*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 多級 調(diào)節(jié) 閃爍 | ||
1.一種多級調(diào)節(jié)光強(qiáng)的閃爍體,包括多個(gè)閃爍體基元,所述多個(gè)閃爍體基元隔著間隙呈陣列結(jié)構(gòu)排布,每個(gè)所述的閃爍體基元包括:
用于接收輻射的頂部表面和多個(gè)側(cè)面;反射層,包括覆蓋所述頂部表面的第一反射層和覆蓋所述側(cè)面的第二反射層;其特征在于:
所述頂部表面與所述第一反射層之間設(shè)置碳膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多級調(diào)節(jié)光強(qiáng)的閃爍體,其特征在于,所述的碳膜,其厚度為0.01~10nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多級調(diào)節(jié)光強(qiáng)的閃爍體,其特征在于,所述閃爍體基元還包括覆蓋第一反射層的銳化片。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的一種多級調(diào)節(jié)光強(qiáng)的閃爍體,其特征在于,相鄰的所述閃爍體基元之間設(shè)置防串?dāng)_金屬層,所述防串?dāng)_金屬層設(shè)置在相鄰的所述閃爍體基元的第二反射層之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多級調(diào)節(jié)光強(qiáng)的閃爍體,其特征在于,所述的閃爍體基元包括:閃爍晶體、閃爍玻璃、閃爍陶瓷和塑料閃爍體;所述的閃爍晶體包括摻鉈的碘化鈉(NaI:Tl)、摻鉈的碘化銫(CsI:Tl)、鍺酸鉍(Bi4Ge3O12,BGO)、摻鈰的硅酸釔镥((Lu,Y)2SiO5:Ce,LYSO)、鎢酸鎘(CdWO4,CWO)、氟化鋇(BaF2)、摻鈰的氯化鑭(LaCl3:Ce)、摻鈰的溴化鑭(LaBr3:Ce)、摻鈰的六氯化釔鋰二銫(Cs2LiYCl6:Ce,CLYC);所述的閃爍陶瓷為石榴石結(jié)構(gòu),其結(jié)構(gòu)式可表述為:(AB)3+xC5-xO12,其中:A為發(fā)光稀土元素,可以為Ce、Pr、Nd、Eu、Tb、Er、Dy、Tm、Ho或其組合;B可以為Sc、Y、Gd、Yb、Lu或其組合;C可以為Al、Ga或Al和Ga的組合;
所述的閃爍陶瓷還可以為(Gd1-x-yPrxDy)2O2S陶瓷,其中D可以為Ce,Pr,Eu,Nd,Sm,Gd,Ho,Yb,Tm的一種或者兩種。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種多級調(diào)節(jié)光強(qiáng)的閃爍體,其特征在于,所述的防串?dāng)_金屬層,由原子序數(shù)≥60的一種或多種金屬制成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種多級調(diào)節(jié)光強(qiáng)的閃爍體,其特征在于,所述的防串?dāng)_金屬層,其厚度為0.1~0.3mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種多級調(diào)節(jié)光強(qiáng)的閃爍體,其特征在于,所述的防串?dāng)_金屬層,由W、Pt、Au、Pb中的一種或多種構(gòu)成。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種多級調(diào)節(jié)光強(qiáng)的閃爍體,其特征在于,所述的銳化片,由原子序數(shù)≤30的一種或多種金屬材料構(gòu)成。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種多級調(diào)節(jié)光強(qiáng)的閃爍體,其特征在于,所述的銳化片,由Al、Cu中的一種或多種材料構(gòu)成,其厚度為0.2~1.0mm。
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