[發明專利]一種有效降低碳化硅單晶缺陷的生長方法和高質量碳化硅單晶有效
| 申請號： | 201911380301.0 | 申請日： | 2019-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN110983434B | 公開（公告）日： | 2021-04-16 |
| 發明（設計）人： | 劉春俊;雍慶;趙寧;彭同華;楊建 | 申請（專利權）人： | 北京天科合達半導體股份有限公司;北京天科合達新材料有限公司;江蘇天科合達半導體有限公司;新疆天科合達藍光半導體有限公司 |
| 主分類號： | C30B23/00 | 分類號： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 豆貝貝 |
| 地址： | 102600 北京市大興區中關村科技*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 有效 降低 碳化硅 缺陷 生長 方法 質量 | ||
【權利要求書】：
1.一種有效降低碳化硅單晶缺陷的生長方法，包括以下步驟：
取直徑為100mm的4H-SiC籽晶一片，選擇C面作為晶體生長面；選擇一個帶卡槽的石墨坩堝，坩堝內徑為120mm，首先在坩堝底部裝入足量的SiC粉末原料，然后在坩堝卡槽內放入一塊圓柱狀碳化硅單晶塊；碳化硅單晶塊直徑為122mm，厚度為1mm，碳化硅單晶塊底部距離碳化硅粉末水平面距離為15mm，碳化硅單晶塊頂部距離籽晶底部距離為25mm；
將裝有上述SiC原料、SiC籽晶、碳化硅單晶塊的坩堝結構裝入到石墨坩堝的生長爐中，設定原料處溫度在2200～2300℃，籽晶處溫度低于原料150℃，生長，得到4H-SiC晶體。
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