[發(fā)明專利]一種利用碳化硅外延生長設備制備載盤涂層的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911379924.6 | 申請日： | 2019-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN111074342B | 公開（公告）日： | 2021-11-09 |
| 發(fā)明（設計）人： | 胡強;徐平;胡瑯;侯立濤;馮杰;侯少毅;黃星星 | 申請（專利權）人： | 季華實驗室 |
| 主分類號： | C30B25/12 | 分類號： | C30B25/12;C30B29/36;C23C16/32 |
| 代理公司： | 佛山市海融科創(chuàng)知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 44377 | 代理人： | 陳志超;黃家豪 |
| 地址： | 528200 廣東省佛山市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 利用 碳化硅 外延 生長 設備 制備 涂層 方法 | ||
1.一種利用碳化硅外延生長設備制備載盤涂層的方法，其特征在于，包括步驟：
A.把石墨載盤放入碳化硅外延生長設備的外延生長室；
B.把石墨載盤升溫至第一預設溫度并保溫90min～110min，保持外延生長室壓力為第一預設壓力，以氫氣為載氣通入硅源和碳源，使之在石墨載盤上發(fā)生化合反應并沉積形成SiC涂層；第一預設溫度為1650℃，第一預設壓力為150托～250托；
C.保持通入氫氣并關閉硅源和碳源，將溫度降低至第二預設溫度并保溫90min～110min，該第二預設溫度為600℃～800℃；
D.重復預設次數(shù)的步驟B、C；所述預設次數(shù)為2次～3次；
E. 完成最后一層SiC層的沉積后，不再加熱和通入硅源和碳源，等石墨載盤的溫度降至第二預設溫度以下時關閉氫氣，然后繼續(xù)降溫直到降至室溫；
F.取出石墨載盤。
2.根據(jù)權利要求1所述的利用碳化硅外延生長設備制備載盤涂層的方法，其特征在于，在步驟A之前還包括步驟：
A1.在石墨載盤上表面開設用于放置襯底片的定位槽。
3.根據(jù)權利要求1所述的利用碳化硅外延生長設備制備載盤涂層的方法，其特征在于，所述第一預設壓力為200托。
4.根據(jù)權利要求1所述的利用碳化硅外延生長設備制備載盤涂層的方法，其特征在于，所述第二預設溫度為700℃。
5.根據(jù)權利要求1所述的利用碳化硅外延生長設備制備載盤涂層的方法，其特征在于，步驟F前還包括步驟：
F1.把石墨載盤翻轉180°，并重復步驟B～E。
6.根據(jù)權利要求5所述的利用碳化硅外延生長設備制備載盤涂層的方法，其特征在于，把石墨載盤翻轉180°后、重復步驟B～E前，把石墨載盤繞中心軸轉動180°。
7.根據(jù)權利要求1所述的利用碳化硅外延生長設備制備載盤涂層的方法，其特征在于，步驟F后還包括步驟：
G.將外延生長室重新升溫至第三預設溫度，保持外延生長室壓力為第二預設壓力，以氫氣為載氣通入清洗氣體，對生長室進行清洗；第三預設溫度為1550℃～1750℃，第二預設壓力為150托～250托。
8.根據(jù)權利要求7所述的利用碳化硅外延生長設備制備載盤涂層的方法，其特征在于，所述第三預設溫度為1650℃，所述第二預設壓力為200托，所述清洗氣體包括HCl氣體。
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