[發(fā)明專利]一種碳化硅涂層沉積爐溫度場(chǎng)的數(shù)字孿生控制方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911377703.5
• 申請(qǐng)日: 2019-12-27
• 公開（公告）號(hào): CN111061318A
• 公開（公告）日: 2020-04-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 彭雨晴;信吉平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 清華大學(xué)無錫應(yīng)用技術(shù)研究院
• 主分類號(hào): G05D23/20
• 分類號(hào): G05D23/20;C04B41/00;C04B41/50;C04B41/87
• 代理公司: 無錫盛陽專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32227
• 代理人: 顧吉云;黃瑩

1.一種碳化硅涂層沉積爐溫度場(chǎng)的數(shù)字孿生控制方法，其特征在于：包括以下步驟：

（1）將沉積爐的爐內(nèi)空間劃分成多個(gè)控制區(qū)域，并在各控制區(qū)域內(nèi)分別安裝溫度傳感器；

（2）采集各控制區(qū)域內(nèi)的溫度傳感器檢測(cè)到的各控制區(qū)域的實(shí)際溫度值并傳送給數(shù)字孿生設(shè)備；

（3）數(shù)字孿生設(shè)備將各控制區(qū)域的實(shí)際溫度值與各控制區(qū)域的理論溫度值一一進(jìn)行對(duì)比，計(jì)算出各控制區(qū)域的實(shí)際溫度值與各控制區(qū)域的理論溫度值之間的差值；

（4）根據(jù)得到的各控制區(qū)域的實(shí)際溫度值與各控制區(qū)域的理論溫度值之間的差值對(duì)各控制區(qū)域進(jìn)行溫度補(bǔ)償。

2.如權(quán)利要求1所述的碳化硅涂層沉積爐溫度場(chǎng)的數(shù)字孿生控制方法，其特征在于：以沉積爐的豎向中心線為軸線，沿著沉積爐的周向劃分出多個(gè)呈扇形的控制區(qū)域。

3.如權(quán)利要求1或2所述的碳化硅涂層沉積爐溫度場(chǎng)的數(shù)字孿生控制方法，其特征在于：所述數(shù)字孿生設(shè)備包括與各控制區(qū)域內(nèi)的溫度傳感器連接的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)采集傳輸模塊，實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)采集傳輸模塊的信號(hào)輸出端分別通過數(shù)據(jù)孿生服務(wù)器、模型數(shù)據(jù)庫與過程控制器連接，過程控制器的控制信號(hào)輸出端通過控制總線連接現(xiàn)場(chǎng)控制設(shè)備。