[發(fā)明專利]一種適用于CeBr3 有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911375983.6 | 申請日: | 2019-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN111045072B | 公開(公告)日: | 2023-08-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馮延強(qiáng);王海洋 | 申請(專利權(quán))人: | 核工業(yè)北京地質(zhì)研究院 |
| 主分類號: | G01T1/36 | 分類號: | G01T1/36 |
| 代理公司: | 核工業(yè)專利中心 11007 | 代理人: | 王婷 |
| 地址: | 100029 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 適用于 cebr base sub | ||
1.一種適用于CeBr3探測器的γ能譜迭代解譜方法,其特征在于包括如下步驟:
步驟一、利用137Cs標(biāo)準(zhǔn)源進(jìn)行CeBr3探測器的γ能譜峰位校準(zhǔn),以確保獲取的不同標(biāo)準(zhǔn)源γ能譜數(shù)據(jù)能量分布線性;
步驟二、測量獲取CeBr3探測器的本底及226Ra、232Th和40K的γ能譜原始數(shù)據(jù);
步驟三、針對226Ra、232Th和40K的γ能譜原始數(shù)據(jù)扣除本底;
步驟四、分析扣除本底后的γ能譜數(shù)據(jù),確定226Ra、232Th和40K峰位及計(jì)算峰面積的峰寬;
步驟五、利用峰位及峰寬計(jì)算出各特征峰峰面積,并建立各特征峰的數(shù)學(xué)比例關(guān)系模型;
步驟六、利用步驟三扣除本底后的原始譜數(shù)據(jù)及步驟五建立的各個(gè)特征峰的數(shù)學(xué)比例模型多次迭代剝譜,獲取226Ra、232Th和40K的凈峰面積;所述步驟六還包括:利用226Ra的全譜數(shù)學(xué)比例關(guān)系,剝離232Th中226Ra的天然放射性干擾,獲得第1次剝譜數(shù)據(jù);然后,利用232Th的全譜數(shù)學(xué)比例關(guān)系,剝離226Ra中232Th的散射干擾,獲得第2次剝譜數(shù)據(jù),完成第1次迭代;
依次重復(fù)上述步驟進(jìn)行迭代剝譜,來獲取第n+1次剝譜數(shù)據(jù)及n+2次剝譜數(shù)據(jù),逐漸使226Ra、232Th的特征峰逼近無干擾狀態(tài),一般迭代3次便可進(jìn)行凈峰面積及全譜數(shù)據(jù)計(jì)算;最后,利用步驟五建立的數(shù)學(xué)比例模型,從步驟三獲取的原始譜數(shù)據(jù)中扣除40K特征峰1460keV中226Ra、232Th的散射干擾,再利用步驟五建立的數(shù)學(xué)比例關(guān)系,得到40K凈峰面積及全譜數(shù)據(jù);步驟六中實(shí)現(xiàn)的多次迭代剝譜,獲取226Ra、232Th和40K凈峰面積;
步驟七、使用多次迭代剝譜獲取的各特征峰的凈峰面積,利用步驟二中各放射性標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的活度值,計(jì)算出待分析樣品中的226Ra、232Th和40K的放射性活度。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于核工業(yè)北京地質(zhì)研究院,未經(jīng)核工業(yè)北京地質(zhì)研究院許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201911375983.6/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 一種Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>復(fù)相熱障涂層材料
- 無鉛[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>納米管及其制備方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一種Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 復(fù)合膜及其制備方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 熒光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一種(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制備方法
- 熒光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>復(fù)合材料的制備方法





