[發(fā)明專利]一種低密度液晶聚合物及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911375568.0 | 申請(qǐng)日: | 2019-12-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111087765A | 公開(公告)日: | 2020-05-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金東植;劉彬;孟華;周小宇 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 江蘇沃特特種材料制造有限公司 |
| 主分類號(hào): | C08L67/00 | 分類號(hào): | C08L67/00;C08L33/04;C08K7/28;C09K19/38 |
| 代理公司: | 深圳中一聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414 | 代理人: | 黃志云 |
| 地址: | 224000 江蘇省鹽*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 密度 液晶 聚合物 及其 制備 方法 | ||
1.一種低密度液晶聚合物,其特征在于,所述低密度液晶聚合物包括如下重量份的組分:
其中,所述空心玻璃微珠的直徑為10~50μm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低密度液晶聚合物,其特征在于,所述空心玻璃微珠的壁厚為1~2μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低密度液晶聚合物,其特征在于,所述空心玻璃微珠的型號(hào)選自3M iM16K、3M S60、3M VS5500、3M K20、SHENNA K110的任意一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3任一所述的低密度液晶聚合物,其特征在于,所述相容劑選自甲基丙烯酸酯共聚物或乙基丙烯酸酯共聚物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~3任一所述的低密度液晶聚合物,其特征在于,所述相容劑的型號(hào)選自GMA Lotader AX8840、PET-1010、SAG-002、HS3-310A的任意一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~3任一所述的低密度液晶聚合物,其特征在于,所述填料選自滑石粉、晶須、硅灰石、云母、二氧化鈦、炭黑、碳酸鈣、粘土、硫酸鋇、二氧化硅的至少一種。
7.一種低密度液晶聚合物的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括如下步驟:
依權(quán)利要求1~6任一所述的低密度液晶聚合物稱取各組分;
將所述全芳香族液晶聚酯樹脂、所述空心玻璃微珠、所述相容劑和所述填料進(jìn)行干燥處理;
將干燥處理后的所述全芳香族液晶聚酯樹脂、所述空心玻璃微珠所述相容劑和所述填料進(jìn)行混合處理,得到第一混合物;
將所述第一混合物進(jìn)行熔融混煉,再經(jīng)過擠出,拉條,冷卻,造粒得到所述低密度液晶聚合物。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的低密度液晶聚合物的制備方法,其特征在于,所述干燥處理的溫度為120~160℃。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的低密度液晶聚合物的制備方法,其特征在于,所述全芳香族液晶聚酯樹脂的制備方法包括如下步驟:
提供至少2種單體物質(zhì),進(jìn)行縮聚反應(yīng)制備得到全芳香族液晶聚酯預(yù)聚物;
將所述全芳香族液晶聚酯預(yù)聚物進(jìn)行固相縮聚反應(yīng),制備得到所述全芳香族液晶聚酯樹脂。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的低密度液晶聚合物的制備方法,其特征在于,進(jìn)行縮聚反應(yīng)制備得到全芳香族液晶聚酯預(yù)聚物的步驟中,所述縮聚反應(yīng)選自溶液縮聚法或本體縮聚法。
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