[發明專利]晶圓的測試方法

在審

• 申請號: 201911375468.8
• 申請日: 2019-12-27
• 公開（公告）號: CN111128782A
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發明（設計）人: 吳苑
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 焦健

1.一種晶圓的測試方法，使用測試探針機臺針對晶圓上的芯片進行測試，其特征在于：

步驟一，進行晶圓探針測試，獲取到晶圓的電學測試數據；

步驟二，抬起探針，對晶圓上壓焊點上的探針扎針針痕進行拍照，通過圖像識別技術，獲取當前測試后留下的針痕數據；

步驟三，對上述針痕數據進行運算和分析：

所述分析包括：

a，針痕位置分析，針痕是否落在晶圓上的壓焊點范圍內，以判定扎針是否有效；

b,將當前針痕數據與之前扎針的針痕數據進行比對，以判定當前針痕的偏移；

c,對針痕圖像進行運算獲取針痕所占面積比，或者判定晶圓壓焊點是否存在金屬層剝落露底。

2.如權利要求1所述的晶圓的測試方法，其特征在于：將當前針痕照片與上一次的針痕照片進行比對，以篩選出最新的針痕進行分析。

3.如權利要求1所述的晶圓的測試方法，其特征在于：通過對探針針痕進行連續監測，能獲取探針的扎針偏移趨勢，以盡早對探針扎針位置進行偏移糾正，防止探針扎針失效。

4.如權利要求1所述的晶圓的測試方法，其特征在于：通過測量針痕中心點與晶圓上壓焊點四條邊的距離來判斷針痕的偏移程度。

5.如權利要求1所述的晶圓的測試方法，其特征在于：對針痕圖像進行運算獲取針痕所占面積比能判斷出探針與晶圓壓焊點的接觸狀態，確定探針與壓焊點是否接觸良好，以便及時更換過度磨損的探針。

6.一種晶圓的測試方法，使用測試探針機臺針對晶圓上的芯片進行測試，其特征在于：

步驟一，在正式測試前，先進行針痕數據采集工作，篩選出已經通過測試且電學測試結果良好的晶圓的測試數據，對晶圓上的探針壓焊點上的探針壓痕進行圖像獲取，獲取已完成測試的壓焊點接觸情況的圖像信息，得出針痕數據樣本并整理；

步驟二，在正式測試時，通過圖像識別技術，進行當前測試晶圓上的壓焊點針痕進行圖像獲取及針痕數據分析，判斷并記錄每個探針卡上探針編號對應的針痕數據；

步驟三，對上述數據進行分析和運算，并與步驟一中得出的針痕數據樣本進行比對判斷，可實時發現扎針位置異常，并報告異常探針編號。

7.如權利要求6所述的晶圓的測試方法，其特征在于：所述的測試機臺是通過探針卡上探針與晶圓上的測試接觸壓焊點接觸，測試機臺發送測試電信號通過探針及與探針接觸的壓焊點輸入到晶圓上的晶粒并獲得測試數據。

8.如權利要求6所述的晶圓的測試方法，其特征在于：每次測試后將對晶圓上探針壓焊點進行拍照并與上一次所拍的照片進行對比，能判斷出當前針痕與以往針痕。

9.如權利要求6所述的晶圓的測試方法，其特征在于：所述步驟一中，獲取的針痕數據包括，針痕中心點與壓焊點四條邊的距離，包括上側距、下側距、左側距、右側距；以及針痕自身的尺寸數據，包括X方向的長度和Y方向的長度。

10.如權利要求6所述的晶圓的測試方法，其特征在于：通過增加圖像獲取單元以及圖像處理器，對探針與壓焊點接觸所產生的針痕獲取圖像并進行分析，包括測量針痕的相關數據。

11.如權利要求6所述的晶圓的測試方法，其特征在于：所述步驟一中，對測試結果良好的晶圓的針痕數據進行整理，得出一個基本的針痕數據樣本，形成一個SPEC規格，以便于后續比對。

12.如權利要求6所述的晶圓的測試方法，其特征在于：所述步驟一中，還包括對探針針痕進行極限偏移測試，通過主動對探針進行偏移進行測試得到有效針痕的極限位置數據。