[發明專利]一種芯片制備方法與待剝離芯片結構

有效

• 申請號: 201911375024.4
• 申請日: 2019-12-27
• 公開（公告）號: CN111048635B
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 張康;趙維;賀龍飛;何晨光;吳華龍;曾昭燴;廖乾光;陳志濤
• 申請（專利權）人: 廣東省半導體產業技術研究院
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/12;H01L33/20
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 張欣欣

本申請提供了一種芯片制備方法與待剝離芯片結構，涉及半導體技術領域。首先提供一襯底，然后沿襯底制作掩膜層，其中，掩膜層包括凹陷區，凹陷區的底部露出襯底的表面，且凹陷區的底部寬度小于頂部寬度，再沿凹陷區內襯底的表面依次生長緩沖層、模板層以及芯片本體，最后腐蝕掩膜層與模板層，以獲取目標芯片，其中，所述目標芯片包括芯片本體。本申請提供了一種芯片制備方法與待剝離芯片結構具有剝離芯片本體更加方便，且不會造成外延面積的浪費的優點。

技術領域

本申請涉及半導體技術領域，具體而言，涉及一種芯片制備方法與待剝離芯片結構。

背景技術

近年來，隨著LED(Light Emitting Diode，發光二極管)光源技術的進步，越來越多的應用技術被開發出來，以LED顯示為代表的新型顯示因其具備的低電壓、低功耗、自發光、全色化、色純度好等諸多優勢受到應用端的青睞。特別是在微顯示光源領域，相比CRT顯示技術、LCD顯示技術、OLED顯示技術，微LED顯示擁有無機LED發光的高效率、高亮度、高可靠和反應時間快的獨特優點，特別是在解析度上，微LED可以輕松實現2000ppi以上的分辨率，而其他顯示技術難以超過1000ppi的分辨率，因此在超高分辨的顯示光源上微LED具有無可比擬的巨大優勢。

但是，由于微LED尺寸極小(一般芯片寬度不到50um)，在芯片工藝中進行激光切割需預留寬度達數十微米的切割道，產生了大量的外延面積浪費，而且激光切割采用的高溫燒熔方式會在切割點附近芯片里產生新的缺陷，從而導致芯片性能下降，進一步，新引入的激光剝離技術雖然可以快速實現微LED芯片的剝離，但是由于激光剝離會產生大量的熱和高壓氣體，亦容易在芯片里產生殘余應力嚴重會導致裂紋產生，從而大大影響了工藝良品率。

綜上，目前在微LED的制備過程中，存在剝離困難的問題。

發明內容

本申請的目的在于提供一種芯片制備方法與待剝離芯片結構，以解決現有技術中芯片剝離困難的問題。

為了實現上述目的，本申請實施例采用的技術方案如下：

一方面，本申請實施例提供了一種芯片制備方法，所述方法包括：

提供一襯底；

沿所述襯底制作掩膜層，其中，所述掩膜層包括凹陷區，所述凹陷區的底部露出所述襯底的表面，且所述凹陷區的底部寬度小于頂部寬度；

沿所述凹陷區內襯底的表面依次生長緩沖層、模板層以及芯片本體；

腐蝕所述掩膜層與所述模板層，以獲取目標芯片，其中，所述目標芯片包括所述芯片本體。

進一步地，所述凹陷區包括第一傾斜區與第二傾斜區，且所述第一傾斜區與襯底法線的夾角大于所述第二傾斜區與襯底法線的夾角；所述沿所述凹陷區內襯底的表面依次生長緩沖層、模板層以及芯片本體的步驟包括：

沿所述凹陷區內襯底的表面生長緩沖層，其中，所述緩沖層位于所述第一傾斜區內；

沿所述緩沖層的表面生長模板層，其中，所述模板層覆蓋所述第一傾斜區；

沿所述模板層的表面依次生長N型半導體層、量子阱層以及P型半導體層，其中，所述N型半導體層、所述量子阱層以及所述P型半導體層均位于所述第二傾斜區內；

在所述沿所述凹陷區內襯底的表面依次生長緩沖層、模板層以及芯片本體的步驟之后，所述方法還包括：

在所述P型半導體層與所述N型半導體層上制作電極。

進一步地，所述凹陷區包括第一傾斜區、電極區以及第二傾斜區，且所述第一傾斜區與襯底法線的夾角大于所述第二傾斜區與襯底法線的夾角，所述沿所述凹陷區內襯底的表面依次生長緩沖層、模板層以及芯片本體的步驟包括：