[發明專利]一種低壓IGBT器件的制備方法在審
| 申請號： | 201911374549.6 | 申請日： | 2019-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN113053746A | 公開（公告）日： | 2021-06-29 |
| 發明（設計）人： | 姚堯;羅海輝;肖強;羅湘;何逸濤;丁杰;劉葳;劉武平;馮宇;卜毅 | 申請（專利權）人： | 株洲中車時代半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/331 | 分類號： | H01L21/331;H01L21/263;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京聿宏知識產權代理有限公司 11372 | 代理人： | 吳大建;康志梅 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 低壓 igbt 器件 制備 方法 | ||
1.一種低壓IGBT器件的制備方法，包括如下步驟：
S1.在晶圓的正面完成IGBT正面結構；
S2.將步驟S1得到的晶圓的背面減薄至第一厚度；
S3.在所述步驟S2得到的晶圓的背面注入高能質子形成緩沖層；
S4.將步驟S3得到的晶圓的背面減薄至最終厚度；
S5.在步驟S4得到的晶圓的背面形成陽極層，在陽極層上沉積金屬，形成集電極。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述晶圓直徑為6英寸至12英寸，所述第一厚度＝IGBT器件的最終厚度+高能質子的注入深度之和-陽極深度。
3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述步驟S3包括：
對所述步驟S2得到的晶圓的背面進行高能質子注入及爐管退火處理，形成背面緩沖層。
4.根據權利要求1-3中任一項所述的方法，其特征在于，步驟S5包括：
5A.在步驟S4得到的晶圓的背面進行低熱預算陽極工藝，形成陽極層；
5B.在陽極層上沉積金屬，形成集電極。
5.根據權利要求1-4中任一項所述的方法，其特征在于，所述步驟5A中包括：
在步驟S4得到的晶圓的背面進行陽極注入以及激光退火處理，形成陽極層。
6.根據權利要求1-5中任一項所述的方法，其特征在于，所述減薄工藝包括常規減薄工藝和/或Taiko減薄工藝。
7.根據權利要求1-6中任一項所述的方法制備得到的低壓IGBT器件。
8.根據權利要求7所述的器件，其特征在于，所述低壓IGBT器件為溝槽柵結構和/或平面柵結構。
9.根據權利要求7或8所述的器件，其特征在于，所述低壓IGBT器件的電壓等級小于3300V，厚度小于375μm。
10.根據權利要求7-9中任一項所述的低壓IGBT器件在汽車、風電、光伏、工業傳動或家電領域中的應用。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
