[發明專利]一種快恢復二極管芯片及其制作方法在審
| 申請號： | 201911374458.2 | 申請日： | 2019-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN113054037A | 公開（公告）日： | 2021-06-29 |
| 發明（設計）人： | 黃小鋒 | 申請（專利權）人： | 常州星海電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/861 | 分類號： | H01L29/861;H01L29/06;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/329 |
| 代理公司： | 常州佰業騰飛專利代理事務所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 楊靜文 |
| 地址： | 213022 江蘇省常州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 恢復 二極管 芯片 及其 制作方法 | ||
1.一種快恢復二極管芯片，包括芯片本體，所述芯片本體包括自下而上設置的N區、基區和P區,其特征在于，所述N區的厚度為70um，所述基區的厚度為80um，所述P區的厚度為85um。
2.根據權利要求1所述的快恢復二極管芯片，其特征在于，所述快恢復二極管芯片還包括溝槽，所述溝槽表面設置有摻氧多晶硅薄膜，所述摻氧多晶硅薄膜的表面設置有保護層，所述保護層包括光阻玻璃鈍化層和設置在所述光阻玻璃鈍化層上的二氧化硅薄膜，所述溝槽的側壁設置所述保護層。
3.根據權利要求2所述的快恢復二極管芯片，其特征在于，所述摻氧多晶硅薄膜的厚度設置為200-300nm。
4.根據權利要求2所述的快恢復二極管芯片，其特征在于，所述P區與N區分別連接金屬層。
5.一種快恢復二極管芯片制作方法，其特征在于，包括：
S1：通過光刻形成化學腐蝕區，對所述化學腐蝕區進行溶液腐蝕形成溝槽，所述溝槽貫穿P區至基區上部分；
S2：在所述溝槽內沉積多晶硅層，通過對所述多晶層摻入氧氣，形成摻氧多晶硅薄膜，所述摻氧多晶硅薄膜的厚度為200-300nm；
S3：在鈍化玻璃液中摻入光阻液，形成光阻玻璃鈍化液，在所述摻氧多晶硅薄膜上涂覆所述光阻玻璃鈍化液；
S4：在二次光刻中，將溝槽中間部分的光阻玻璃鈍化液利用旋轉噴淋的方式去除；
S5：進行高溫燒結，形成光阻玻璃鈍化層；
S6：進行金屬化連接后，進行劈裂形成單顆晶粒。
6.根據權利要求5所述的快恢復二極管芯片制作方法，其特征在于，所述光阻玻璃鈍化層包圍所述溝槽的側壁。
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