[發(fā)明專利]一種SIM卡檢測方法、裝置、存儲介質(zhì)及終端

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911373404.4
• 申請日: 2019-12-27
• 公開（公告）號: CN110912574B
• 公開（公告）日: 2022-03-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 俞斌
• 申請（專利權(quán)）人: TCL移動(dòng)通信科技（寧波）有限公司
• 主分類號: H04B1/3816
• 分類號: H04B1/3816;H04W8/18;G01R33/02;G01B21/16
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 遠(yuǎn)明

1.一種SIM卡檢測方法，應(yīng)用于終端，所述終端包括用于檢測磁場強(qiáng)度的磁傳感器，以及用于檢測距離的距離傳感器，所述磁傳感器與所述距離傳感器設(shè)置在終端SIM卡座處，其特征在于，包括：

當(dāng)通過所述距離傳感器檢測到與SIM卡座的距離發(fā)生變化時(shí)，觸發(fā)所述磁傳感器檢測所述SIM卡座的磁場強(qiáng)度；

當(dāng)通過所述磁傳感器檢測到的磁場強(qiáng)度發(fā)生改變時(shí)，獲取當(dāng)前磁場強(qiáng)度值與上一歷史磁場強(qiáng)度值的差值，其中，歷史磁場強(qiáng)度值為通過每隔預(yù)設(shè)時(shí)間間隔觸發(fā)磁傳感器檢測所述SIM卡座區(qū)域的磁場強(qiáng)度變化得到的磁場強(qiáng)度值，所述歷史磁場強(qiáng)度值保存在所述終端的存儲器中；

將所述差值與預(yù)設(shè)差值進(jìn)行比較；

當(dāng)所述差值大于所述預(yù)設(shè)差值時(shí)，向SIM卡發(fā)送通訊信號；

根據(jù)通訊結(jié)果確定所述SIM卡的狀態(tài)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)通訊結(jié)果確定所述SIM卡的狀態(tài)，包括：

當(dāng)所述通訊結(jié)果為接收到所述SIM卡針對所述通訊信號作出的響應(yīng)消息，則判定所述SIM卡處于工作狀態(tài)；

當(dāng)所述通訊結(jié)果為未接收到所述SIM卡針對所述通訊信號作出的響應(yīng)消息，則判定所述SIM卡處于非工作狀態(tài)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在判定所述SIM卡處于非工作狀態(tài)之后，還包括：

在當(dāng)前顯示界面顯示提示消息，所述提示消息用于提示用戶所述SIM卡工作異常。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：

若所述差值小于等于所述預(yù)設(shè)差值時(shí)，檢測到不存在SIM卡，并提示用戶不存在SIM卡。

5.一種SIM卡檢測裝置，應(yīng)用于終端，所述終端包括用于檢測磁場強(qiáng)度的磁傳感器，以及用于檢測距離的距離傳感器，所述磁傳感器與所述距離傳感器設(shè)置在終端SIM卡座處，其特征在于，包括：

獲取單元，用于當(dāng)通過所述距離傳感器檢測到與SIM卡座的距離發(fā)生變化時(shí)，觸發(fā)所述磁傳感器檢測所述SIM卡座的磁場強(qiáng)度；當(dāng)通過所述磁傳感器檢測到的磁場強(qiáng)度發(fā)生改變時(shí)，獲取當(dāng)前磁場強(qiáng)度值與上一歷史磁場強(qiáng)度值的差值，其中，歷史磁場強(qiáng)度值為通過每隔預(yù)設(shè)時(shí)間間隔觸發(fā)磁傳感器檢測所述SIM卡座區(qū)域的磁場強(qiáng)度變化得到的磁場強(qiáng)度值，所述歷史磁場強(qiáng)度值保存在所述終端的存儲器中；

比較單元，用于將所述差值與預(yù)設(shè)差值進(jìn)行比較；

發(fā)送單元，用于當(dāng)所述差值大于所述預(yù)設(shè)差值時(shí)，向SIM卡發(fā)送通訊信號；

確定單元，用于根據(jù)通訊結(jié)果確定所述SIM卡的狀態(tài)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述確定單元包括：

第一判定子單元，用于當(dāng)所述通訊結(jié)果為接收到所述SIM卡針對所述通訊信號作出的響應(yīng)消息，則判定所述SIM卡處于工作狀態(tài)；

第二判定子單元，用于當(dāng)所述通訊結(jié)果為未接收到所述SIM卡針對所述通訊信號作出的響應(yīng)消息，則判定所述SIM卡處于非工作狀態(tài)。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，還包括：

觸發(fā)單元，用于當(dāng)通過所述距離傳感器檢測到與SIM卡座的距離發(fā)生變化時(shí)，觸發(fā)所述磁傳感器檢測所述SIM卡座的磁場強(qiáng)度。

8.一種存儲介質(zhì)，其特征在于，所述存儲介質(zhì)存儲有多條指令，所述指令適于處理器進(jìn)行加載，以執(zhí)行權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的SIM卡檢測方法中的步驟。

9.一種終端，其特征在于，包括磁傳感器、距離傳感器、處理器和存儲器，所述磁傳感器設(shè)置在終端SIM卡座處，用于檢測磁場強(qiáng)度，所述距離傳感器設(shè)置在SIM卡座處，用于檢測距離，所述存儲器存儲有多條指令，所述處理器加載所述指令以執(zhí)行權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的SIM卡檢測方法中的步驟。