[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911372912.0
• 申請(qǐng)日: 2019-12-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111384055B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-04-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林瑄智
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H10B12/00
• 分類(lèi)號(hào): H10B12/00;G11C11/34;G11C7/18
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 聶慧荃;閆華

本公開(kāi)提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括一基底、一控制柵極結(jié)構(gòu)、一熔絲柵極結(jié)構(gòu)，以及一埋置位元線；該基底具有一第一表面、一第一摻雜區(qū)、一第二摻雜區(qū)，以及一凹處，該第一摻雜區(qū)設(shè)置在該第一表面下方，該第二摻雜區(qū)設(shè)置在該第一表面下方，該凹處凹入該基底并設(shè)置在該第一摻雜區(qū)與該第二摻雜區(qū)之間；該控制柵極結(jié)構(gòu)設(shè)置在該第一摻雜區(qū)上方并電性連接一控制位元線；該熔絲柵極結(jié)構(gòu)設(shè)置在該第二摻雜區(qū)上方并電性連接一熔絲位元線；該埋置字元線設(shè)置在該控制柵極結(jié)構(gòu)與該熔絲柵極結(jié)構(gòu)之間；其中該埋置字元線設(shè)置在該基底的該凹處內(nèi)。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)主張2018/12/27申請(qǐng)的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)案第62/785,359號(hào)及2019/10/29申請(qǐng)的美國(guó)正式申請(qǐng)案第16/667,104號(hào)的優(yōu)先權(quán)及益處，該美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)案及該美國(guó)正式申請(qǐng)案的內(nèi)容以全文引用的方式并入本文中。

本公開(kāi)涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。特別涉及一種熔絲陣列結(jié)構(gòu)，其具有配置在一基底中的一埋置字元線。

背景技術(shù)

對(duì)于許多現(xiàn)代應(yīng)用，半導(dǎo)體裝置是不可或缺的。在半導(dǎo)體裝置之中，如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dynamic?random?access?memory，DRAM)裝置的存儲(chǔ)器裝置，已被認(rèn)為是一個(gè)重要角色。該存儲(chǔ)器裝置具有許多存儲(chǔ)器胞(memory?cells)，縱橫地行列設(shè)置在基底(substrate)上，其中每一存儲(chǔ)器胞的形成可由一電容器所存儲(chǔ)，并可由一位元線(bitline)而可存取，而所述的位元線在基底上的一表面延伸。

隨著電子科技的進(jìn)步，一熔絲陣列結(jié)構(gòu)的容量持續(xù)地增加。換言之，提升設(shè)置在基底上的熔絲陣列結(jié)構(gòu)的一密度。據(jù)此，難以維持于該熔絲陣列結(jié)構(gòu)中的該等電子零件之間的隔離或絕緣。

因此，有需要持續(xù)地改善半導(dǎo)體元件的結(jié)構(gòu)上的架構(gòu)。

上文的“現(xiàn)有技術(shù)”說(shuō)明僅提供背景技術(shù)，并未承認(rèn)上文的“現(xiàn)有技術(shù)”說(shuō)明公開(kāi)本公開(kāi)的標(biāo)的，不構(gòu)成本公開(kāi)的現(xiàn)有技術(shù)，且上文的“現(xiàn)有技術(shù)”的任何說(shuō)明均不應(yīng)作為本公開(kāi)的任一部分。

發(fā)明內(nèi)容

本公開(kāi)的一實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括一基底，具有一第一表面、一第一摻雜區(qū)、一第二摻雜區(qū)以及一凹處，該第一摻雜區(qū)設(shè)置在該第一表面下方，該第二摻雜區(qū)設(shè)置在該第一表面下方，該凹處凹入該基底并位在該第一摻雜區(qū)與該第二摻雜區(qū)之間；一控制柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)置在該第一摻雜區(qū)上方并電性連接一控制位元線；一熔絲柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)置在該第二摻雜區(qū)上方并電性連接一熔絲位元線；以及一埋置字元線，設(shè)置在該控制柵極結(jié)構(gòu)與該熔絲柵極結(jié)構(gòu)之間；其中該埋置字元線設(shè)置在該基底的該凹處內(nèi)。

依據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例，該埋置字元線設(shè)置在該基底的該第一表面下方，并遠(yuǎn)離該基底的該第一表面設(shè)置。

依據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例，該埋置字元線設(shè)置在該第一摻雜區(qū)與該第二摻雜區(qū)下方，并遠(yuǎn)離該第一摻雜區(qū)與該第二摻雜區(qū)設(shè)置。

依據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例，該凹處從該基底的該第一表面朝向該基底的一第二表面延伸，該第二表面相對(duì)該第一表面設(shè)置。

依據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例，該熔絲柵極結(jié)構(gòu)具有一熔絲介電質(zhì)，設(shè)置在該第二摻雜區(qū)上。

依據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例，當(dāng)該埋置字元線與該熔絲位元線之間的一電壓偏壓大致地大于5V時(shí)，該熔絲介電質(zhì)可斷裂。

依據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例，該埋置字元線設(shè)置在該熔絲介電質(zhì)下方，并遠(yuǎn)離該熔絲介電質(zhì)設(shè)置。

依據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例，該熔絲介電質(zhì)包含氧化物或金屬氧化物。

依據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例，該第一摻雜區(qū)與該第二摻雜區(qū)為一相同導(dǎo)電類(lèi)型。

依據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例，該埋置字元線具有一導(dǎo)體以及一隔離層，該隔離層設(shè)置在該凹處內(nèi)并位在該基底與該導(dǎo)體之間。

依據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例，該隔離層與該凹處的一側(cè)壁共形設(shè)置。