[發(fā)明專(zhuān)利]一種高維持電壓橫向SCR器件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911372211.7 | 申請(qǐng)日： | 2019-12-27 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN111092076A | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-05-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 喬明;張發(fā)備;梁龍飛;齊釗;張波 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 電子科技大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L27/02 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 成都點(diǎn)睛專(zhuān)利代理事務(wù)所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖歡 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國(guó)省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 維持 電壓 橫向 scr 器件 | ||
1.一種高維持電壓橫向SCR器件，其特征在于包括：P型襯底(01)；P型襯底(01)內(nèi)部上方與P型襯底(01)左側(cè)邊緣相切的N型阱區(qū)(02)；P型襯底(01)內(nèi)部上方右側(cè)與N型阱區(qū)(02)相切的P型阱區(qū)(03)；位于N型阱區(qū)(02)內(nèi)部上方與N型阱區(qū)(02)左側(cè)相切的陽(yáng)極第一N+接觸區(qū)(04)；位于陽(yáng)極第一N+接觸區(qū)(04)右側(cè)且與陽(yáng)極第一N+接觸區(qū)(04)相切的第一P+接觸區(qū)(05)；在P型阱區(qū)(03)和N型阱區(qū)(02)交界處注入橫跨兩個(gè)阱的N+低觸發(fā)區(qū)(06)；位于P型阱區(qū)(03)內(nèi)部上方的陰極第二P+隔離區(qū)(22)；位于陰極第二P+隔離區(qū)(22)右側(cè)且與陰極第二P+隔離區(qū)(22)相切的陰極第二N+接觸區(qū)(12)；位于陰極第二N+接觸區(qū)(12)右側(cè)且與陰極第二N+接觸區(qū)(12)相切的陰極第一P+隔離區(qū)(21)；位于陰極第一P+隔離區(qū)(21)右側(cè)且與陰極第一P+隔離區(qū)(21)相切的陰極第一N+接觸區(qū)(11)；位于陰極第一N+接觸區(qū)(11)右側(cè)且與陰極第一N+接觸區(qū)(11)相切的第二P+接觸區(qū)(08)；一端與陰極第二N+接觸區(qū)(12)表面金屬相連的第一陰極補(bǔ)償電阻(R12)，陽(yáng)極第一N+接觸區(qū)(04)與第一P+接觸區(qū)(05)表面用金屬短接，構(gòu)成器件陽(yáng)極(101)，陰極第一N+接觸區(qū)(11)與第二P+接觸區(qū)(08)表面用金屬短接并與第一陰極補(bǔ)償電阻(R12)另一端相連構(gòu)成器件陰極(102)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高維持電壓橫向SCR器件，其特征在于：第二P+接觸區(qū)(08)左側(cè)設(shè)有多個(gè)陰極N+接觸區(qū)(11、12、…、1n)，相鄰的陰極N+接觸區(qū)之間依次插入多個(gè)陰極P+隔離區(qū)(21、22、…、2n)，在陰極N+接觸區(qū)(11、12、…、1n)表面形成金屬接觸，第二陰極補(bǔ)償電阻(R13)一端與陰極第二N+接觸區(qū)(12)相連，另一端與陰極第三N+接觸區(qū)(13)相連……第n-1陰極補(bǔ)償電阻(R1n)一端與陰極第n-1N+接觸區(qū)1(n-1)相連，另一端與陰極第nN+接觸區(qū)(1n)相連，上述n≥3。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高維持電壓橫向SCR器件，其特征在于：器件陽(yáng)極的第一P+接觸區(qū)(05)拆分成陽(yáng)極第一P+接觸區(qū)(31)和陽(yáng)極第二P+接觸區(qū)(32)兩塊，并在二者之間插入陽(yáng)極第一N+隔離區(qū)(41)，在陽(yáng)極第二P+接觸區(qū)(32)右側(cè)插入與陽(yáng)極第二P+接觸區(qū)(32)相切的陽(yáng)極第二N+隔離區(qū)(42)；在陽(yáng)極第二P+接觸區(qū)(32)表面形成金屬接觸并與第一陽(yáng)極補(bǔ)償電阻(R22)一端相連，陽(yáng)極第一P+接觸區(qū)(31)與陽(yáng)極第一N+接觸區(qū)(04)表面用金屬短接并與第一陽(yáng)極補(bǔ)償電阻(R22)另一端相連構(gòu)成器件陽(yáng)極(101)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種高維持電壓橫向SCR器件，其特征在于：陽(yáng)極第一N+接觸區(qū)(04)右側(cè)設(shè)有多個(gè)陽(yáng)極P+接觸區(qū)(31、32、…、3n)，相鄰的陽(yáng)極P+接觸區(qū)之間依次插入多個(gè)陽(yáng)極N+隔離區(qū)(41、42、…、4n)，在陽(yáng)極P+接觸區(qū)(31、32、…、3n)表面形成金屬接觸，第二陽(yáng)極補(bǔ)償電阻(R23)一端與陽(yáng)極第二P+接觸區(qū)(32)相連，另一端與陽(yáng)極第三P+接觸區(qū)(33)相連……第n-1陽(yáng)極補(bǔ)償電阻(R2n)一端與陽(yáng)極第n-1P+接觸區(qū)3(n-1)相連，另一端與陽(yáng)極第n P+接觸區(qū)(3n)相連；
第二P+接觸區(qū)(08)左側(cè)設(shè)有多個(gè)陰極N+接觸區(qū)(11、12、…、1n)，相鄰的陰極N+接觸區(qū)之間依次插入多個(gè)陰極P+隔離區(qū)(21、22、…、2n)，在陰極N+接觸區(qū)(11、12、…、1n)表面形成金屬接觸，第二陰極補(bǔ)償電阻(R13)一端與陰極第二N+接觸區(qū)(12)相連，另一端與陰極第三N+接觸區(qū)(13)相連……第n-1陰極補(bǔ)償電阻(R1n)一端與陰極第n-1N+接觸區(qū)1(n-1)相連，另一端與陰極第n N+接觸區(qū)(1n)相連，上述n≥3。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種高維持電壓橫向SCR器件，其特征在于：將上述器件中的陽(yáng)極N+隔離區(qū)(41、42、…、4n)分別替換成陽(yáng)極槽型隔離區(qū)(51、52、…、5n)；將陰極P+隔離區(qū)(21、22、…、2n)分別替換成陰極槽型隔離區(qū)(61、62、…、6n)，上述n≥3。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
