[發(fā)明專利]負極材料及包含其的電化學裝置和電子裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911370848.2 | 申請日： | 2019-12-26 |
| 公開（公告）號： | CN111146421B | 公開（公告）日： | 2022-03-18 |
| 發(fā)明（設計）人： | 廖群超 | 申請（專利權(quán)）人： | 寧德新能源科技有限公司 |
| 主分類號： | H01M4/36 | 分類號： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 林斯凱 |
| 地址： | 352100 福建*** | 國省代碼： | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 負極 材料 包含 電化學 裝置 電子 | ||
1.一種負極材料，其包括硅基顆粒，所述硅基顆粒包括含硅基體和聚合物層，所述聚合物層位于所述含硅基體的至少一部分的表面上，所述聚合物層包含碳納米管和過渡金屬元素，所述過渡金屬元素包含Co、Fe、Mg、Zn、Ni、Mn、Ti或其任意組合，其中在每一個硅基顆粒中，所述過渡金屬元素中距離所述含硅基體表面最遠的過渡金屬元素與所述含硅基體表面的距離小于或等于3μm，其中基于所述硅基顆粒的總重量，所述過渡金屬元素的含量為0.03-0.1wt％。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負極材料，其中所述含硅基體包括SiOx，且0.6≤x≤1.5。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負極材料，其中所述含硅基體包括Si、SiO、SiO2、SiC或其任意組合；和/或所述Si的顆粒尺寸為小于100nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負極材料，其中所述聚合物層包含以下聚合物：羧甲基纖維素、聚丙烯酸、聚丙烯腈、聚乙烯醇、聚乙烯基吡咯烷酮、聚苯胺、聚酰亞胺、聚酰胺酰亞胺、聚硅氧烷、聚丁苯橡膠、環(huán)氧樹脂、聚酯樹脂、聚氨酯樹脂、聚芴或其任意組合。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負極材料，其中基于所述硅基顆粒的總重量，所述聚合物層的含量為0.05-15wt％；和/或所述碳納米管的含量為0.3-10wt％。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負極材料，其中所述硅基顆粒在X射線衍射圖案中2θ歸屬于28.0°-29.0°范圍內(nèi)最高強度數(shù)值為I2，歸屬于20.5°-21.5°范圍內(nèi)最高強度數(shù)值為I1，其中0I2/I1≤1。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負極材料，其中所述硅基顆粒的平均粒徑為500nm-30μm；和/或所述硅基顆粒的比表面積為1-50m2/g。
8.一種負極，其包含如權(quán)利要求1-7中任一項所述的負極材料。
9.一種電化學裝置，其包含如權(quán)利要求8所述的負極。
10.一種電子裝置，其包含如權(quán)利要求9所述的電化學裝置。
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