[發明專利]半導體裝置及半導體存儲裝置

在審

• 申請號: 201911370833.6
• 申請日: 2019-12-26
• 公開（公告）號: CN112018190A
• 公開（公告）日: 2020-12-01
• 發明（設計）人: 服部繁樹;上田知正;池田圭司
• 申請（專利權）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/108
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 楊林勳

本申請案涉及一種半導體裝置及半導體存儲裝置。根據一實施方式，半導體存儲裝置具備：氧化物半導體層，包含銦(In)、鋁(Al)、及鋅(Zn)，且鋁相對于銦、鋁、及鋅的總和的原子比為8％以上23％以下；柵極電極；及柵極絕緣層，設置在氧化物半導體層與柵極電極之間。

相關申請案的引用

本申請案基于2019年05月31日提出申請的先前的日本專利申請案第2019-102530號的優先權的利益，且要求該利益，其內容整體通過引用而包含于此。

技術領域

本發明的實施方式涉及一種半導體裝置及半導體存儲裝置。

背景技術

將氧化物半導體層作為通道層之氧化物半導體晶體管具備斷開動作時的通道泄漏電流極小的優異特性。因此，例如研究將氧化物半導體晶體管應用于動態隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)的存儲單元的開關晶體管。

在將氧化物半導體晶體管應用于存儲單元的開關晶體管的情況下，氧化物半導體晶體管要經過伴隨存儲單元或配線的形成的熱處理。因此，期待實現即使經過熱處理，特性的變動也較少的耐熱性較高的氧化物半導體晶體管。

發明內容

本發明的一實施方式提供一種耐熱性較高的半導體裝置。

實施方式的半導體裝置具備：氧化物半導體層，包含銦(In)、鋁(Al)、及鋅(Zn)，且鋁相對于銦、鋁、及鋅的總和的原子比為8％以上23％以下；柵極電極；及柵極絕緣層，設置在所述氧化物半導體層與所述柵極電極之間。

附圖說明

圖1是第1實施方式的半導體裝置的示意截面圖。

圖2是第1實施方式的半導體裝置的作用及效果的說明圖。

圖3是第1實施方式的半導體裝置的作用及效果的說明圖。

圖4是第2實施方式的半導體裝置的示意截面圖。

圖5是第2實施方式的半導體裝置的示意截面圖。

圖6是第3實施方式的半導體裝置的示意截面圖。

圖7是第3實施方式的半導體裝置的示意截面圖。

圖8是第4實施方式的半導體存儲裝置的框圖。

圖9是第4實施方式的半導體存儲裝置的存儲單元陣列的示意截面圖。

圖10是第4實施方式的半導體存儲裝置的存儲單元陣列的示意截面圖。

圖11是第4實施方式的半導體存儲裝置的第1存儲單元的示意截面圖。

圖12是第4實施方式的半導體存儲裝置的第2存儲單元的示意截面圖。

具體實施方式

以下，一面參照附圖一面說明本發明的實施方式。此外，在以下的說明中，對相同或類似的構件等標注相同的符號，對于已說明過一次的構件等，適當省略其說明。

另外，本說明書中，為方便起見而有使用“上”、或“下”的用語的情況。“上”、或“下”終究是表示附圖內的相對性的位置關系的用語，并非是規定相對于重力的位置關系的用語。