[發(fā)明專利]一種散熱封裝結構的制造方法及散熱結構有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911370257.5 | 申請日: | 2019-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN111146091B | 公開(公告)日: | 2022-07-12 |
| 發(fā)明(設計)人: | 狄云翔 | 申請(專利權)人: | 中芯集成電路(寧波)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司: | 北京思創(chuàng)大成知識產權代理有限公司 11614 | 代理人: | 張立君 |
| 地址: | 315800 浙江省寧波市北*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 散熱 封裝 結構 制造 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種散熱封裝結構的制造方法及散熱結構,所述制造方法包括:提供第一結構,第一結構包括塑封層和嵌入塑封層中的芯片,芯片的第一表面嵌入在塑封層中;對塑封層進行減薄工藝,暴露出芯片的第一表面;減薄工藝完成后,在第一表面、塑封層上表面形成種子層,種子層作為電鍍工藝的陰極;在種子層的上表面形成帶有多個通孔的犧牲層,通孔通過光刻工藝形成,通孔貫穿犧牲層;將第一結構放置于電鍍液中,通過電鍍工藝,在通孔中形成散熱柱;去除犧牲層。本發(fā)明的有益效果在于:通過光刻工藝在犧牲層上形成通孔,通過電鍍工藝在通孔中形成多個散熱的散熱柱,在保證散熱效果的情況下,減低了散熱結構的成本。
技術領域
本發(fā)明涉及半導體器件封裝領域,尤其涉及一種散熱封裝結構的制造方法及散熱結構。
背景技術
隨著電子產品在功能及處理速度的需求的提升,作為電子產品的核心組件的半導體芯片需具有更高密度的電子元件,半導體芯片在運作時將隨之產生更大量的熱能,芯片散熱成為一個重要課題。封裝結構內的芯片通常借助于額外的散熱裝置才能達到較佳的散熱效果,但增加了生產成本和封裝厚度。
目前的解決方法為:在芯片背面的塑封層中通過刻蝕工藝形成多個通孔,在通孔內沉積金屬膜層,實現散熱,然而通孔工藝成本較高。
因此,實現如何減小封裝體積、保證散熱效果、降低工藝成本,是目前研究的課題。
發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提供一種散熱封裝結構的制造方法及散熱結構,解決封裝體積大、散熱不好,成本較高的問題。
為了實現上述目的,本發(fā)明提供一種散熱封裝結構的制造方法,包括:
提供第一結構,所述第一結構包括塑封層和嵌入所述塑封層中的芯片,所述芯片的第一表面嵌入在所述塑封層中;
對所述塑封層進行減薄工藝,暴露出所述芯片的第一表面;
所述減薄工藝完成后,在所述第一表面、所述塑封層上表面形成種子層,所述種子層作為電鍍工藝的陰極;
在所述種子層的上表面形成帶有多個通孔的犧牲層,所述通孔通過光刻工藝形成,所述通孔貫穿所述犧牲層;
將所述第一結構放置于電鍍液中,通過電鍍工藝,在所述通孔中形成散熱柱;
去除所述犧牲層。
本發(fā)明還提供了一種散熱封裝結構,其特征在于,包括:
塑封層;
芯片或芯片模組,嵌入所述塑封層中,所述芯片或芯片模組包括相對的第一表面和第二表面,其中所述第一表面與所述塑封層的上表面齊平;所述第二表面設有電連接結構,所述電連接結構位于所述塑封層外部;
所述芯片或芯片模組的第一表面、所述塑封層的上表面設有多個散熱柱。
本發(fā)明的有益效果在于:在封裝完成后的晶圓背面對塑封層做減薄工藝,露出芯片的背面,在芯片背面通過涂抹感光材料,利用曝光、顯影工藝形成多個通孔,通過電鍍工藝在通孔中形成散熱的散熱柱,以利于芯片的散熱。本方法步驟簡單,效率高,成本低,散熱效果好,在制作過程中不影響芯片的強度,芯片可靠性高。進一步地,相鄰的散熱柱之間設有連接的部分,增加了散熱柱之間的結構強度,增加了散熱面積,加強了散熱效果。本發(fā)明的散熱封裝結構成本低,散熱效果好,芯片可靠性高,封裝體積較小。
附圖說明
圖1示出了根據本發(fā)明一實施例的一種散熱封裝結構的制造方法的流程圖。
圖2至圖12示出了根據本發(fā)明一實施例的一種散熱封裝結構的制造方法不同步驟中對應的結構示意圖。
圖13示出了根據本發(fā)明一實施例的一種散熱封裝結構的示意圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





