[發(fā)明專利]一種LED芯片及其制作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911369513.9
• 申請日: 2019-12-26
• 公開（公告）號: CN110957405A
• 公開（公告）日: 2020-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄔新根;李俊賢;劉英策;周弘毅;劉偉
• 申請（專利權(quán)）人: 廈門乾照光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 張靜

本申請實施例提供了一種LED芯片及其制作方法，該LED芯片包括：襯底；位于襯底的第一表面的外延結(jié)構(gòu)，外延結(jié)構(gòu)包括N型半導(dǎo)體層、有源層、P型半導(dǎo)體層，其中P型半導(dǎo)體層表面包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；電流阻擋層；電流擴展層，其中，電流擴展層在P型半導(dǎo)體層上的正投影完全覆蓋P型半導(dǎo)體層，電流擴展層對應(yīng)P型半導(dǎo)體層第一區(qū)域的厚度大于電流擴展層對應(yīng)P型半導(dǎo)體層第二區(qū)域的厚度，從而可以利用電流擴展層第二區(qū)域的較小厚度，來增加電流擴展層的透光率，減少電流擴展層對出射光的吸收，提高LED芯片的發(fā)光功率，同時利用電流擴展層第一區(qū)域的較大厚度，減小LED芯片的電壓，進而降低所述LED芯片驅(qū)動功率，提高所述LED芯片的發(fā)光效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及半導(dǎo)體發(fā)光器件制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種LED芯片及其制作方法。

背景技術(shù)

隨著LED芯片技術(shù)的日趨成熟，對LED芯片亮度要求越來越高，同時LED的應(yīng)用也越來越廣泛。

目前，為了提升LED芯片的亮度，通常通過減小LED芯片中電流擴展層的厚度，來提高電流擴展層的光線透過率，從而提升LED芯片的亮度。但是，這種方法對提升LED芯片的發(fā)光效率提升較為有限，導(dǎo)致現(xiàn)有LED芯片的發(fā)光效率有待進一步提高。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本申請實施例提供了一種LED芯片及其制作方法，以提高所述LED芯片的發(fā)光效率。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實施例提供如下技術(shù)方案：

一種LED芯片，包括：

襯底；

位于所述襯底第一表面的外延結(jié)構(gòu)，所述外延結(jié)構(gòu)包括層疊的N型半導(dǎo)體層、有源層和P型半導(dǎo)體層，所述P型半導(dǎo)體層表面包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；

位于所述P型半導(dǎo)體層背離所述有源層一側(cè)第一區(qū)域的電流阻擋層；

位于所述電流阻擋層背離所述P型半導(dǎo)體層一側(cè)的電流擴展層，所述電流擴展層在所述P型半導(dǎo)體層上的正投影完全覆蓋所述P型半導(dǎo)體層；

其中，所述電流擴展層對應(yīng)所述P型半導(dǎo)體層第一區(qū)域的厚度大于所述電流擴展層對應(yīng)所述P型半導(dǎo)體層第二區(qū)域的厚度。

可選的，所述電流擴展層包括第一電流擴展層和第二電流擴展層；其中，所述第一電流擴展層在所述P型半導(dǎo)體層上的正投影位于所述電流阻擋層在所述P型半導(dǎo)體層上的正投影范圍內(nèi)，所述第二電流擴展層在所述P型半導(dǎo)體層上的正投影完全覆蓋所述P型半導(dǎo)體層。

可選的，所述第一電流擴展層位于所述第二電流擴展層與所述電流阻擋層之間。

可選的，所述第一電流擴展層為透明電極層，所述第二電流擴展層為透明電極層。

可選的，所述第一電流擴展層的厚度取值范圍為150埃-2300埃，包括端點值；所述第二電流擴展層的厚度取值范圍為150埃-2300埃，包括端點值。

可選的，所述第一電流擴展層的厚度大于所述第二電流擴展層的厚度。

一種LED芯片的制作方法，包括：

在襯底第一表面形成外延結(jié)構(gòu)，所述外延結(jié)構(gòu)包括層疊的N型半導(dǎo)體層、有源層和P型半導(dǎo)體層，所述P型半導(dǎo)體層表面包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；

在所述P型半導(dǎo)體層背離所述有源層一側(cè)第一區(qū)域形成電流阻擋層，并在所述電流阻擋層背離所述P型半導(dǎo)體層一側(cè)形成電流擴展層，所述電流擴展層在所述P型半導(dǎo)體層上的正投影完全覆蓋所述P型半導(dǎo)體層；

其中，所述電流擴展層對應(yīng)所述P型半導(dǎo)體層第一區(qū)域的厚度大于所述電流擴展層對應(yīng)所述P型半導(dǎo)體層第二區(qū)域的厚度。