[發明專利]SiC晶片制造方法在審
| 申請號： | 201911367656.6 | 申請日： | 2019-12-26 |
| 公開（公告）號： | CN111215766A | 公開（公告）日： | 2020-06-02 |
| 發明（設計）人： | 陳蛟;宋華平;楊軍偉;簡基康;王文軍;陳小龍 | 申請（專利權）人： | 松山湖材料實驗室 |
| 主分類號： | B23K26/50 | 分類號： | B23K26/50;B23K26/70 |
| 代理公司： | 深圳市千納專利代理有限公司 44218 | 代理人： | 袁燕清 |
| 地址： | 523000 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | sic 晶片 制造 方法 | ||
1.一種SiC晶片制造方法，其特征在于，其包括如下步驟：
(1)預備SiC晶錠：預備SiC晶錠(1)，所述SiC晶錠(1)至少包含待分離的SiC晶片(11)，以及SiC晶錠(1)分離SiC晶片(11)后的SiC余料(12)，其中SiC晶片(11)與SiC余料(12)通過分離層(13)結合；
(2)設置激光輻射路徑：設置激光(2)在SiC晶錠(1)上的輻射路徑，將激光(2)的聚光點定位在分離層(13)上，所述激光對SiC晶錠(1)具有透過性的波長，所述輻射路徑沿著SiC晶錠(1)的外圍區域(1a)向中心區域(1b)的方向；
(3)提供氣源：引入氣體發生器(3)，氣體發生器產生一定流速的氣體吹向分離層(13)，所述氣體至少包含氧元素；
(4)分離：SiC晶片(11)與SiC余料(12)分離，制得SiC晶片。
2.根據權利要求1所述的SiC晶片制造方法，其特征在于，所述激光(2)的激光光子的能量小于SiC晶體帶隙值對應的能量。
3.根據權利要求1所述的SiC晶片制造方法，其特征在于，所述氣體的流速大于或等于1mL/min。
4.根據權利要求1所述的SiC晶片制造方法，其特征在于，所述氣體發生器(3)的數量為多個，呈圓心對稱設置在SiC晶錠(1)的周邊位置。
5.根據權利要求1-4中任意一項所述的SiC晶片制造方法，其特征在于，所述氣體發生器(3)為移動式氣體發生器。
6.根據權利要求1-4中任意一項所述的SiC晶片制造方法，其特征在于，所述輻射路徑為以環形的路徑按由外圍區域(1a)向中心區域(1b)方向移動。
7.根據權利要求1-4中任意一項所述的SiC晶片制造方法，其特征在于，所述輻射路徑為以螺旋形的路徑按由外圍區域(1a)向中心區域(1b)方向移動。
8.根據權利要求1-4中任意一項所述的SiC晶片制造方法，其特征在于，所述輻射路徑為以規則圖形按由外圍區域(1a)向中心區域(1b)方向移動。
9.根據權利要求1-4中任意一項所述的SiC晶片制造方法，其特征在于，所述輻射路徑為以不規則圖形按由外圍區域(1a)向中心區域(1b)方向移動。
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