[發明專利]一種經高壓電場改良的紫花苜蓿在鹽堿地的種植方法

在審

• 申請號: 201911367384.X
• 申請日: 2019-12-26
• 公開（公告）號: CN111084067A
• 公開（公告）日: 2020-05-01
• 發明（設計）人: 陳浩;徐凱迪;丁昌江;朱景程;宋智青
• 申請（專利權）人: 內蒙古工業大學
• 主分類號: A01G22/40
• 分類號: A01G22/40;A01C1/00
• 代理公司: 深圳市漢唐知識產權代理有限公司 44399
• 代理人: 劉海軍

本發明公開了一種經高壓電場改良的紫花苜蓿在鹽堿地的種植方法，步驟有：將紫花苜蓿種子和叢枝菌根真菌孢子用高壓針?板電場進行播種前電場預處理；將電場預處理后的紫花苜蓿種子和叢枝菌根真菌孢子種植在裝有正常土壤的套筒中；將套筒一部分埋入鹽堿地中，套筒底端設有金屬網，且套筒底端要抵達正常土壤層；經一定時間生長，紫花苜蓿與叢枝菌根真菌形成共生，紫花苜蓿根系和叢枝菌根真菌菌絲穿過套筒底端的金屬網，進入深層的正常土壤。本發明提出的方法，經高壓電場改良紫花苜蓿和叢枝菌根真菌，再將兩者共生，增強抗逆能力，促進紫花苜蓿的生長，又使用套筒屏蔽淺層鹽堿的危害，最終實現紫花苜蓿在鹽堿地正常生長的目的。

技術領域

本發明涉及紫花苜蓿種植技術領域，特別涉及一種經高壓電場改良的紫花苜蓿在鹽堿地的種植方法。

背景技術

鹽漬土是各種鹽土、堿土及其他不同程度鹽化和堿化的各種類型土壤的總稱，是在一定的自然或者人為條件下形成的。鹽分的積累不僅導致土壤養分失衡，而且降低土壤滲透性，致使大多數植物的生長受到不同程度的抑制，甚至死亡，給種植業生產帶來有害影響。

紫花苜蓿是多年生豆科牧草，具有產草量高、蛋白質含量高、根瘤固氮等優點，被譽為“牧草之王”。紫花苜蓿具有一定的耐鹽堿能力，改良土壤的同時，可獲得較高的產量，是發展我國人工草地優質牧草的重要的物種。但紫花苜蓿屬于中等耐鹽堿牧草，可以在輕度鹽漬化土壤種植，在重度鹽漬化土壤中，其生長就會受到抑制，表現出生長遲緩、生活力變弱、產量降低等現象。并且，由于其種子和幼苗期是植物耐鹽堿性最弱的時期，一直以來僅在非鹽堿客土或者輕度鹽堿土中種植，中重度鹽堿土的紫花苜蓿的定植技術研究不足。我國土壤鹽漬化嚴重，鹽堿地紫花苜蓿的種植一直是一個難題。

為了解決上述問題，提出了一種經高壓電場改良的紫花苜蓿在鹽堿地的種植方法。

發明內容

本發明的主要目的在于提供一種經高壓電場改良的紫花苜蓿在鹽堿地的種植方法，可以有效解決背景技術中的問題。

為實現上述目的，本發明采取的技術方案為：

一種經高壓電場改良的紫花苜蓿在鹽堿地的種植方法，其特征在于，步驟如下：

a)將紫花苜蓿種子和叢枝菌根真菌孢子用高壓針-板電場進行播種前電場預處理；

b)將電場預處理后的紫花苜蓿種子和叢枝菌根真菌孢子種植在裝有正常土壤的套筒中；

c)將套筒一部分埋入鹽堿地中，套筒底端設有金屬網，且套筒底端要抵達正常土壤層；

d)經一定時間生長，紫花苜蓿與叢枝菌根真菌形成共生，紫花苜蓿根系和叢枝菌根真菌菌絲穿過套筒底端的金屬網，進入深層的正常土壤。

優選的，在a步驟中，紫花苜蓿種子的電場預處理的條件為：針-板間距為4cm，電壓為4kV，處理時間為10min；叢枝菌根真菌孢子的電場預處理的條件為：針-板間距為4cm，電壓為2kV，處理時間為5min。

優選的，在b步驟中，紫花苜蓿種子播種在土表面以下1.5cm處，叢枝菌根真菌孢子播種在紫花苜蓿種子以下2cm處。

與現有技術相比，本發明具有如下有益效果：本發明提出的方法，經高壓電場改良紫花苜蓿和叢枝菌根真菌，再將兩者共生，增強抗逆能力，促進紫花苜蓿的生長，又使用套筒屏蔽淺層鹽堿的危害，最終實現紫花苜蓿在鹽堿地正常生長的目的。

附圖說明

圖1為本發明一種經高壓電場改良的紫花苜蓿在鹽堿地的種植方法的步驟示意圖；

圖2為本發明一種經高壓電場改良的紫花苜蓿在鹽堿地的種植方法的套筒一部分埋入鹽堿地的示意圖；

圖3為本發明一種經高壓電場改良的紫花苜蓿在鹽堿地的種植方法的紫花苜蓿在鹽堿地內生長的示意圖。