[發明專利]發光裝置及其電極

有效

• 申請號: 201911366847.0
• 申請日: 2019-12-26
• 公開（公告）號: CN111435695B
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發明（設計）人: 黃奕翔;蔡維隆;何育宇;蔡宇翔
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: H01L33/40
• 分類號: H01L33/40;H01L33/42;H01L27/32;H01L51/52
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 祁建國;張燕華

一種發光裝置及其電極，電極包括第一電極以及輔助電極，輔助電極設置于第一電極上且覆蓋部分的第一電極，第一電極的材料為摻雜金屬的金屬氧化物或堿金屬鹽類，輔助電極的材料包括金屬或其合金。

技術領域

本發明是有關于一種發光裝置及其電極。

背景技術

發光裝置，例如透明發光裝置，可用于生活中來提升信息傳播的方便性，如智能櫥窗、廣告看板、車載顯示器…等應用，因此受到關注并成為技術發展的重要目標之一。

發光裝置一般是由電極層、發光層、驅動元件與各種導線(如掃描線、數據線等)所構成，且電極層可為透明電極，以利發光。為使透明發光裝置具有較高的發光效率，必須考慮透明電極的透明度及導電度，尤其當應用于大面積的發光裝置面板時，更需考慮發光裝置的導電度。

為了追求高透明度，可以導入高透明度電極，然而傳統以金屬為主的透明電極會導致穿透率(Transmittance)降低，影響發光裝置面板整體的穿透率。

另一種改良穿透率的方式是在傳統以金屬為主的透明電極中打洞或穿孔，但如此一來會有亮度不均的問題，還會使電阻值增加而犧牲導電性，進而影響元件的發光效率。

而若使用整面透明金屬氧化物共陰極結構制作透明發光裝置的電極，需使用濺鍍(sputter)制程，將會使在電極的濺鍍制程前已形成的發光層的表面因使用濺鍍過程而被破壞。

發明內容

本發明實施例提供一種發光裝置的電極，能在達到高穿透率的同時保有高導電度。

本發明實施例提供一種發光裝置，具有上述電極，可適用于較大尺寸的透明顯示器。

本發明實施例提供一種發光裝置的電極，包括第一電極以及輔助電極，輔助電極設置于第一電極上且覆蓋部分的第一電極，第一電極的材料為摻雜金屬的金屬氧化物或堿金屬鹽類，輔助電極的材料包括金屬或其合金。

本發明實施例提供一種發光裝置，包括基板、有源元件層、絕緣層、像素定義層、發光元件、輔助電極及薄膜封裝層，有源元件層設置于基板上；絕緣層設置于基板及有源元件層上；像素定義層設置于部分的絕緣層上；發光元件設置于絕緣層上并包括第一電極、發光層以及第二電極，其中第二電極設置于絕緣層上并位于絕緣層與像素定義層之間且與有源元件層電性連接，發光層位于所述第二電極及所述第一電極之間；輔助電極設置于部分的第一電極上且覆蓋有源元件層；薄膜封裝層覆蓋發光元件及輔助電極；其中第一電極的材料為摻雜金屬的金屬氧化物或堿金屬鹽類，輔助電極的材料包括金屬或其合金。

以下結合附圖和具體實施例對本發明進行詳細描述，但不作為對本發明的限定。

附圖說明

圖1A為依照本發明的第一實施例的一種包括電極的發光裝置的剖面示意圖。

圖1B為包括多個像素的發光裝置的上視圖。

圖1C為包含多像素的發光裝置的剖面示意圖。

圖2為輔助電極厚度與觀看者可視角間關系的示意圖。

圖3為依照本發明的第二實施例的一種包括電極的發光裝置的剖面示意圖。

圖4為依照本發明的第三實施例的一種包括電極的發光裝置的剖面示意圖。

圖5為依照本發明的第四實施例的一種包括電極的發光裝置的剖面示意圖。

圖6為依照本發明的第五實施例的一種包括電極的發光裝置的剖面示意圖。

圖7A及圖7B為光學模擬所使用的第一組發光裝置結構。

圖7C為第一組發光裝置結構的光學模擬結果。

圖8A及圖8B為光學模擬所使用的第二組發光裝置結構。