[發明專利]一種發光二極管及其制作方法有效

申請號：	201911366643.7	申請日：	2019-12-26
公開（公告）號：	CN110957401B	公開（公告）日：	2021-02-26
發明（設計）人：	卓祥景;程偉;堯剛;萬志;藺宇航	申請（專利權）人：	廈門乾照光電股份有限公司
主分類號：	H01L33/02	分類號：	H01L33/02;H01L33/04;H01L33/06;H01L33/00
代理公司：	北京集佳知識產權代理有限公司 11227	代理人：	潘穎
地址：	361100 福建省廈門市火炬***	國省代碼：	福建;35
權利要求書：	查看更多	說明書：	查看更多
摘要：
搜索關鍵詞：	一種發光二極管及其制作方法
鉆瓜網技術展會專利詞庫專利權人專利榜在售專利公布日期熱門專利

【說明書】：

本發明公開了一種發光二極管及其制作方法，本發明提供的發光二極管包括有復合淺量子阱，提高大電流密度下空穴的注入效率。通過第一界面調制層減緩窄阱寬壘超晶格層和窄阱窄壘超晶格層的界面處的能帶彎曲，及通過第二界面調制層減緩窄阱窄壘超晶格層和多量子阱發光層的界面處的能帶彎曲，降低由此引入的異質勢壘高度，進而降低發光二極管的工作電壓且提高發光二極管的發光效率。通過位于缺陷覆蓋層來覆蓋填平多量子阱發光層和復合淺量子阱上形成的V型缺陷，而有效的阻擋電流進入V型缺陷，從而有效減少V型缺陷所形成的漏電通道，使得空穴從非V型缺陷區域進入多量子阱發光層，增大空穴?電子復合幾率，最終提高了發光二極管的可靠性和發光效率。

技術領域

本發明涉及半導體器件技術領域，更為具體地說，涉及一種發光二極管及其制作方法。

背景技術

近來年，III-V族氮化物，由于其優異的物理及化學特性(禁帶寬度大、擊穿電場高、電子飽和遷移率高等)，從而廣泛應用于電子、光學領域。其中，以GaN基為主要材料的藍綠光發光二極管，更是在照明、顯示、數碼方面有著長足的發展。隨著LED(Light EmittingDiode，發光二極管)應用端的逐漸擴大，市場對LED性能的要求也越來越高。目前的高光效應用產品比如燈絲燈、高階燈管、高光效面板燈、手機背光、電視背光等對LED的發光效率和可靠性有著嚴格的要求，高可靠性的LED成為了當前各芯片廠商技術研發的熱點。

發明內容

有鑒于此，本發明提供了一種發光二極管及其制作方法，有效解決現有技術中存在的技術問題，提高了發光二極管的可靠性。

為實現上述目的，本發明提供的技術方案如下：

一種發光二極管，包括：

襯底；

位于所述襯底一側上的N型半導體層；

位于所述N型半導體層背離所述襯底一側依次疊加的窄阱寬壘超晶格層、第一界面調制層、窄阱窄壘超晶格層及第二界面調制層，其中，所述窄阱寬壘超晶格層和所述窄阱窄壘超晶格層組合為復合淺量子阱；

位于所述第二界面調制層背離所述襯底一側的多量子阱發光層；

位于所述多量子阱發光層背離所述襯底一側的缺陷覆蓋層；

以及，位于所述缺陷覆蓋層背離所述襯底一側的P型半導體層。

可選的，所述缺陷覆蓋層包括靠近所述襯底一側的第一子缺陷覆蓋層及遠離所述襯底一側的第二子缺陷覆蓋層，其中，所述發光二極管還包括：

位于所述第一子缺陷覆蓋層與所述第二子缺陷覆蓋層之間的隧穿層，其中，所述隧穿層的阻抗小于所述缺陷覆蓋層的阻抗。