[發明專利]一種碳化硅MOSFET驅動電路

有效

• 申請號: 201911366027.1
• 申請日: 2019-12-26
• 公開（公告）號: CN113054829B
• 公開（公告）日: 2022-06-21
• 發明（設計）人: 劉洋;齊放;曾亮;柯攀;戴小平
• 申請（專利權）人: 湖南國芯半導體科技有限公司
• 主分類號: H02M1/088
• 分類號: H02M1/088;H02M1/38;H02M1/12;H02H7/12
• 代理公司: 湖南兆弘專利事務所(普通合伙) 43008
• 代理人: 周長清;廖元寶

1.一種碳化硅MOSFET驅動電路，其特征在于，包括抗橋臂串擾電路，所述抗橋臂串擾電路包括驅動芯片U1、電容C5和開關管T1，所述驅動芯片U1的輸出端與所述電容C5的一端相連，并與碳化硅MOSFET的柵極相連；所述電容C5的另一端與所述開關管T1的集電極相連，所述開關管T1的發射極與所述碳化硅MOSFET的源極相連且與接地端GND3相連，所述開關管T1的基極與所述碳化硅MOSFET的柵極相連；

還包括柵極保護電路，所述柵極保護電路包括二極管D2和二極管D3，所述二極管D2的負極和所述二極管D3的正極與所述碳化硅MOSFET的柵極相連，所述二極管D2的正極連接有電源VEE3，所述二極管D3的負極連接有電源VCC3。

2.根據權利要求1所述的碳化硅MOSFET驅動電路，其特征在于，所述驅動芯片U1的輸出端與所述碳化硅MOSFET的柵極之間設置有共模電感L2，所述共模電感L2的第一繞線串聯于所述驅動芯片U1的輸出端與所述碳化硅MOSFET的柵極之間，所述共模電感L2的第二繞線的一端與所述驅動芯片U1的GND2相連，另一端與所述碳化硅MOSFET的源極相連。

3.根據權利要求2所述的碳化硅MOSFET驅動電路，其特征在于，所述驅動芯片U1的輸出端包括第一輸出端OUT1和第二輸出端OUT2，所述第一輸出端OUT1經電阻R3與共模電感L2的第一繞線的一端相連，所述第二輸出端OUT2經電阻R4與共模電感L2的第一繞線的一端相連。

4.根據權利要求2所述的碳化硅MOSFET驅動電路，其特征在于，所述驅動芯片U1的電源輸入端連接有電源VCC1，所述電源VCC1與驅動芯片U1的電源輸入端之間串聯共模電感L1，所述電源VCC1與地GND之間設有電容C1，所述電容C1的一端與電源VCC1相連，另一端與地GND相連；所述共模電感L1的第一繞線的一端與電源VCC1相連，另一端與驅動芯片U1的電源輸入端相連，所述共模電感L1的第二繞線的一端與地GND相連，另一端與驅動芯片U1的GND端相連。

5.根據權利要求4所述的碳化硅MOSFET驅動電路，其特征在于，還包括共模電感L3；所述驅動芯片U1的VCC2端連接有電源VCC2，所述驅動芯片U1的VEE2端連接有電源VEE2，所述電源VCC2和電源VCC3分別位于共模電感L3的第一繞線的兩端，所述電源VEE2和電源VEE3分別位于共模電感L3的第二繞線的兩端。

6.根據權利要求1至5中任意一項所述的碳化硅MOSFET驅動電路，其特征在于，還包括有源鉗位電路，所述有源鉗位電路包括鉗位二極管D4和電容C6；所述鉗位二極管D4的兩端分別與所述碳化硅MOSFET的漏極與柵極相連，所述電容C6與鉗位二極管D4并聯。

7.根據權利要求1至5中任意一項所述的碳化硅MOSFET驅動電路，其特征在于，還包括短路保護電路，所述短路保護電路包括電容C3、電阻R2和二極管D1，所述驅動芯片U1的SC端依次經所述電阻R2和二極管D1與所述碳化硅MOSFET的漏極相連，所述二極管D1的正極與所述電阻R2相連，負極與所述碳化硅MOSFET的漏極相連；所述電容C3的一端與驅動芯片U1的SC端相連，另一端與GND2相連。