[發明專利]一種采用溴化銫襯底制備鈷摻雜鈣鈦礦太陽能電池的方法有效
| 申請號: | 201911365105.6 | 申請日: | 2019-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN111106207B | 公開(公告)日: | 2023-07-25 |
| 發明(設計)人: | 諸躍進;王晨陽;龍涌金;張京;胡子陽 | 申請(專利權)人: | 寧波大學 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/032;H01L31/0392 |
| 代理公司: | 杭州五洲普華專利代理事務所(特殊普通合伙) 33260 | 代理人: | 丁少華 |
| 地址: | 315211 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 采用 溴化銫 襯底 制備 摻雜 鈣鈦礦 太陽能電池 方法 | ||
1.一種采用溴化銫襯底制備鈷摻雜鈣鈦礦太陽能電池的方法,其特征在于,包括以下步驟,在導電玻璃層的表面旋涂電子傳輸層,電子傳輸層僅包括致密二氧化鈦膜,配置溴化銫溶液,直接旋涂至致密二氧化鈦膜表面,以形成溴化銫襯底,配置溴化鉛溶液,旋涂至溴化銫襯底的表面,以形成溴化鉛層,配置鈷摻雜溴化銫溶液,并采用多步旋涂法旋涂至溴化鉛層上,以使得溴化鉛層轉換成鈷摻雜鈣鈦礦層,在鈷摻雜鈣鈦礦層表面刮涂碳電極,鈷摻雜比例不超過0.2%,所述溴化銫溶液中溴化銫濃度為2.5mg/ml,溴化銫溶液以轉速3000r/min旋涂30秒,形成溴化銫襯底。
2.根據權利要求1所述的采用溴化銫襯底制備鈷摻雜鈣鈦礦太陽能電池的方法,多步旋涂法的旋涂次數為6次。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





