[發明專利]氟化物熒光體、發光裝置及氟化物熒光體的制造方法在審
| 申請號： | 201911364985.5 | 申請日： | 2019-12-26 |
| 公開（公告）號： | CN111378443A | 公開（公告）日： | 2020-07-07 |
| 發明（設計）人： | 吉田智一 | 申請（專利權）人： | 日亞化學工業株式會社 |
| 主分類號： | C09K11/66 | 分類號： | C09K11/66;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 沈雪 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氟化物 熒光 發光 裝置 制造 方法 | ||
1.一種氟化物熒光體，其具有含有K、Ge、Mn4+以及F的組成，且具有1摩爾組成中的K的摩爾比為2，Ge與Mn4+的合計摩爾比為1，Mn4+的摩爾比大于0且小于0.2，F的摩爾比為6表示的組成，在發光波譜中，于615nm以上且小于625nm的范圍內具有半值寬度為6nm以下的第一發光峰，于625nm以上且小于635nm的范圍內具有第二發光峰，由波長為450nm的光激發帶來的內量子效率為85％以上。
2.根據權利要求1所述的氟化物熒光體，其具有下述式(I)表示的組成，
K2[Ge1-aMn4+aF6] (I)
式(I)中，a為滿足0＜a＜0.2的數。
3.根據權利要求1或2所述的氟化物熒光體，其中，
將所述第二發光峰的發光強度設為100％，所述第一發光峰的發光強度為30％以上。
4.根據權利要求1～3中任一項所述的氟化物熒光體，其具有六方晶系的結晶結構，空間群具有P63mc的對稱性。
5.根據權利要求1～4中任一項所述的氟化物熒光體，其中，由波長為450nm的光激發帶來的內量子效率為90％以上。
6.一種發光裝置，其具備：
權利要求1～5中任一項所述的氟化物熒光體、以及
在380nm以上且485nm以下的范圍內具有發光峰值波長的激發光源。
7.根據權利要求6所述的發光裝置，其進一步包含在495nm以上且573nm以下的范圍內具有發光峰值波長的熒光體。
8.一種氟化物熒光體的制造方法，該制造方法包括：
準備氟化物粒子，該氟化物粒子具有含有K、Ge、Mn4+以及F的組成，且具有1摩爾組成中的K的摩爾比為2，Ge與Mn4+的合計摩爾比為1，Mn4+的摩爾比大于0且小于0.2，F的摩爾比為6表示的組成；以及
使所述氟化物粒子與含氟物質接觸，在400℃以上的溫度下進行熱處理。
9.根據權利要求8所述的氟化物熒光體的制造方法，該制造方法包括：
在包含氮氣的非活性氣體氣氛中對所述氟化物粒子進行熱處理。
10.根據權利要求8或9所述的氟化物熒光體的制造方法，其中，所述含氟物質為選自F2、CHF3、CF4、NH4HF2、NH4F、SiF4、及NF3中的至少1種。
11.根據權利要求8～10中任一項所述的氟化物熒光體的制造方法，該氟化物熒光體具有下述式(I)表示的組成，
K2[Ge1-aMn4+aF6] (I)
式(I)中，a為滿足0＜a＜0.2的數。
12.根據權利要求8～11中任一項所述的氟化物熒光體的制造方法，其中，由波長為450nm的光激發帶來的內量子效率為85％以上。
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