[發(fā)明專利]一種誘導(dǎo)鹵化物鈣鈦礦單晶成為雜質(zhì)中間帶半導(dǎo)體的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911364797.2
• 申請(qǐng)日: 2019-12-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113046829A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 武莉莉;韓利鵬;劉才
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 四川大學(xué)
• 主分類號(hào): C30B29/12
• 分類號(hào): C30B29/12;C30B7/14
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種雜質(zhì)中間帶鹵化物鈣鈦礦單晶材料，其特征在于，所述的雜質(zhì)中間帶鹵化物鈣鈦礦材料具有A(B_mC_1-m)X_nY_3-n的化學(xué)式；其中，0.7m≤ 1，2n≤ 3，制備方法為逆溫度結(jié)晶法。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雜質(zhì)中間帶鹵化物鈣鈦礦單晶材料，其特征在于：所述A可以為CH₃NH₃⁺、CH(NH₂)₂⁺、Cs⁺、K⁺、Rb⁺等一價(jià)陽(yáng)離子中的一種或者上述幾種的組合。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雜質(zhì)中間帶鹵化物鈣鈦礦單晶材料，其特征在于：所述B可以為Pb²⁺、Sn²⁺等二價(jià)金屬陽(yáng)離子中的一種或兩種，C可以為Hg²⁺、Bi³⁺、Sb³⁺、TI⁺、Mn²⁺、Co²⁺、Cr²⁺中的一種或者上述幾種的組合；X和Y為Cl^?、Br^?、I^?一種或者上述幾種的組合。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雜質(zhì)中間帶鹵化物鈣鈦礦單晶材料的制備方法，其特征在于：通過(guò)改變前驅(qū)溶液中不同離子的比例來(lái)進(jìn)行制備。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雜質(zhì)中間帶鹵化物鈣鈦礦單晶材料的制備方法，其特征在于：采用的逆溫度結(jié)晶法中所需的溶劑為N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亞砜、γ-丁內(nèi)酯、四氫呋喃中的一種、兩種或者三種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雜質(zhì)中間帶鹵化物鈣鈦礦單晶材料的制備方法，其特征在于：采用的逆溫度結(jié)晶法中的前驅(qū)液的濃度在0.3-1.5 mol/L之間，溫度范圍在40-150℃之間，最容易制備且質(zhì)量最佳。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雜質(zhì)中間帶鹵化物鈣鈦礦單晶材料，其特征在于：該單晶材料在摻雜后，材料的表相與體相成分一致，在未改變基體材料帶隙的情況下，對(duì)其進(jìn)行能帶調(diào)控，拓寬其光響應(yīng)范圍。