[發明專利]微型發光二極管外延片、顯示陣列及其制作方法有效
| 申請號: | 201911364394.8 | 申請日: | 2019-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN111180478B | 公開(公告)日: | 2022-05-13 |
| 發明(設計)人: | 蘭葉;吳志浩;李鵬 | 申請(專利權)人: | 華燦光電(蘇州)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/20 |
| 代理公司: | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人: | 呂耀萍 |
| 地址: | 215600 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 微型 發光二極管 外延 顯示 陣列 及其 制作方法 | ||
本公開提供了一種微型發光二極管外延片、顯示陣列及其制作方法,屬于半導體技術領域。包括:在基板上依次形成驅動電路和絕緣層,絕緣層為混有金剛石顆粒的SOG層;在絕緣層上開設延伸至驅動電路的通孔,并在通孔內填充導電材料;在絕緣層上間隔設置多個半導體器件并加熱,每個半導體器件包括依次層疊在絕緣層上的P型電極、空穴產生層、有源層、電子產生層、緩沖層和藍寶石襯底,多個半導體器件中的P型電極分別通過導電材料與驅動電路電連接;采用激光剝離的方式去除多個半導體器件中的藍寶石襯底,采用干法刻蝕的方式去除緩沖層,并在電子產生層上設置N型電極。本公開有利于散熱。
技術領域
本公開涉及半導體技術領域,特別涉及一種微型發光二極管外延片、顯示陣列及其制作方法。
背景技術
發光二極管(英文:Light Emitting Diode,簡稱:LED)是一種常用的發光器件,通過電子與空穴復合釋放能量發光,廣泛地應用在日常生活中的顯示、裝飾、通訊和照明等領域。通過采用不同的半導體材料和結構,發光二極管能夠覆蓋從紫外到紅外的全色范圍,基本占據了室內和室外的大間距顯示器市場。其中,間距是指顯示器中相鄰兩個顯示單元之間的距離,與顯示器的分辨率有關。
當前小間距顯示器市場仍以液晶顯示器(英文:Liquid Crystal Display,簡稱:LCD)為主流。雖然有機發光二極管(英文:Organic Light-Emitting Diode,簡稱:OLED)正在某些領域替代LCD成為主流,但是OLED存在燒屏等問題。微型發光二極管(英文:MicroLED)是指邊長在10微米~100微米的超小型發光二極管,體積小,可以更密集地排列在一起而大幅提高分辨率,并且具有自發光特性,在高亮度、高對比度、快速反應和省電等方面都優于LCD和OLED,未來很可能會進一步占據小間距顯示器市場。
顯示陣列是小間距顯示器和大間距顯示器的基本結構。相關技術中,Micro LED的顯示陣列包括電路板和多個芯片,電路板包括依次層疊的基板、驅動電路和絕緣層,多個芯片間隔設置在絕緣層上。絕緣層的材料采用二氧化硅,絕緣層中設有連通芯片和對應的控制電路的通孔。基板用于起到承載支撐的作用,驅動電路用于分別控制各個芯片的發光,絕緣層用于將芯片與自己對應的控制電路電連接,并與其它芯片對應的控制電路絕緣。
在實現本公開的過程中,發明人發現相關技術至少存在以下問題:
在小間距顯示器中,大量的Micro LED芯片密集布置在電路板上,工作過程中會產生的熱量很多。但是二氧化硅的熱傳導系數為7.6W/(m*K),無法有效散發Micro LED芯片產生的熱量,導致小間距顯示器長時間使用會存在較大的隱患,不利于Micro LED在小間距顯示器上的推廣和穩定使用。
發明內容
本公開實施例提供了一種微型發光二極管外延片、顯示陣列及其制作方法,可以有效散發Micro LED芯片產生的熱量,促進Micro LED在小間距顯示器上的推廣和穩定使用。所述技術方案如下:
一方面,本公開實施例提供了一種微型發光二極管顯示陣列的制作方法,所述制作方法包括:
在基板上形成驅動電路;
在所述驅動電路上鋪設絕緣層,所述絕緣層為混有金剛石顆粒的旋轉涂布玻璃SOG層;
在所述絕緣層上開設延伸至所述驅動電路的通孔,并在所述通孔內填充導電材料,形成電路板;
在所述絕緣層上間隔設置多個半導體器件并加熱,將所述多個半導體器件與所述電路板鍵合在一起,每個所述半導體器件包括依次層疊在所述絕緣層上的P型電極、空穴產生層、有源層、電子產生層、緩沖層和藍寶石襯底,所述多個半導體器件中的P型電極分別通過所述通孔內的導電材料與所述驅動電路電連接;
采用激光剝離的方式去除所述多個半導體器件中的藍寶石襯底,采用干法刻蝕的方式去除所述緩沖層,并在所述電子產生層上設置N型電極,形成芯片。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于華燦光電(蘇州)有限公司,未經華燦光電(蘇州)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201911364394.8/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





