[發明專利]成膜裝置和成膜處理方法

有效

• 申請號: 201911364275.2
• 申請日: 2019-12-26
• 公開（公告）號: CN111378959B
• 公開（公告）日: 2022-10-14
• 發明（設計）人: 神尾卓史;齊藤哲也;鹽野海
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/458;C23C16/46;C23C16/16;C23C16/52
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

本發明提供一種成膜裝置和成膜處理方法。提供一種能夠使基板處理的面內均勻性提高并且抑制微粒的技術。提供一種成膜裝置，該成膜裝置具備：處理容器，其在內部形成真空氣氛；載置臺，其用于載置基板，具有設置到所述處理容器內的加熱部件；氣體噴出機構，其設置到與所述載置臺相對的位置；以及排氣部件，其從所述處理容器內排氣，所述氣體噴出機構包括：氣體導入口，其用于向所述處理容器內導入處理氣體；第1板狀構件，其在比所述氣體導入口靠外側的位置具有第1開口部；以及噴淋板，其設置于所述第1板狀構件與所述載置臺之間，從所述第1開口部經由多個氣孔向工藝空間供給所述處理氣體。

技術領域

本公開涉及一種成膜裝置和方法。

背景技術

存在如下成膜裝置：從在與基板相對的面形成有一樣的氣孔的噴頭供給含有原料氣體的氣體，而在基板進行成膜。對于該成膜裝置，氣體的壓力在噴頭的中心部附近較高，而且，氣體向外周方向的流速在基板的中心部附近較小，因此，原料氣體的濃度在基板的中心部附近變高，膜厚在基板的中央增加，從而存在無法謀求膜的面內均勻性的情況。

因此，專利文獻1提出如下成膜裝置：向比基板的外周靠外側的位置吹出氣體，而從設置到在徑向上比基板的外周更靠外側的位置的排氣口對氣體進行排氣。這樣的話，利用從基板的外側向基板的表面擴散的原料氣體的化學物種在基板上進行成膜，從而能夠改善膜的面內均勻性。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻2：日本特開2009-239104號公報

發明內容

發明要解決的問題

本公開提供一種能夠使膜的面內均勻性提高并且能夠抑制微粒的技術。

用于解決問題的方案

根據本公開的一技術方案，提供一種成膜裝置，該成膜裝置具備：處理容器，其在內部形成真空氣氛；載置臺，其用于載置基板，具有設置到所述處理容器內的加熱部件；氣體噴出機構，其設置到與所述載置臺相對的位置；以及排氣部件，其從所述處理容器內排氣，所述氣體噴出機構包括：氣體導入口，其用于向所述處理容器內導入處理氣體；第1板狀構件，其在比所述氣體導入口靠外側的位置具有第1開口部；以及噴淋板，其設置于所述第1板狀構件與所述載置臺之間，從所述第1開口部經由多個氣孔向工藝空間供給所述處理氣體。

發明的效果

根據一方面，能夠使膜的面內均勻性提高，并且能夠抑制微粒。

附圖說明

圖1是一實施方式的成膜裝置處于處理位置的截面示意圖。

圖2是一實施方式的成膜裝置處于交接位置的截面示意圖。

圖3是表示圖1的I-I截面的圖。

圖4是表示一實施方式的成膜裝置和比較例的成膜裝置的處理氣體的流動的一個例子的圖。

圖5是由一實施方式的成膜裝置和比較例的成膜裝置進行的成膜的實驗結果的一個例子。

圖6是由一實施方式的成膜裝置和比較例的成膜裝置進行的成膜的實驗結果的一個例子。

圖7是變更了一實施方式的成膜裝置的間隙時的成膜的實驗結果的一個例子。

具體實施方式

以下，參照附圖而對用于實施本公開的方式進行說明。此外，在本說明書和附圖中，存在如下情況：對實質上相同的結構標注相同的附圖標記，從而省略重復的說明。

[成膜裝置]