[發明專利]一種片料基材的拾取方法及拾取裝置

在審

• 申請號: 201911363721.8
• 申請日: 2019-12-25
• 公開（公告）號: CN111099403A
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發明（設計）人: 艾波;田明星;宛朝輝;艾勇誠;段奔;鐘青
• 申請（專利權）人: 武漢理工氫電科技有限公司
• 主分類號: B65H3/08
• 分類號: B65H3/08;B65H3/48;B65H5/08;B65H7/06;H01M8/1004
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 付興奇

1.一種片料基材的拾取方法，其特征在于，包括：先使吸附裝置的吸附頭吸附所述片料基材，然后控制所述吸附頭在所述片料基材的厚度方向上振動。

2.根據權利要求1所述的拾取方法，其特征在于，拾取所述片料基材之前，所述片料基材堆疊于料倉內，在所述吸附裝置的吸附頭吸附所述片料基材之前，所述拾取方法還包括：

給堆疊的所述片料基材的縫隙通離子風。

3.根據權利要求2所述的拾取方法，其特征在于，所述控制所述吸附頭在所述片料基材的厚度方向上振動之后，所述拾取方法還包括：

檢測所述吸附頭上的所述片料基材的厚度；

如果檢測到的所述厚度大于單張所述片料基材的厚度，則控制所述吸附頭松開所述片料基材，然后再次使用所述吸附頭吸附所述片料基材；

如果檢測到的所述厚度等于單張所述片料基材的厚度，則所述吸附頭保持吸附所述片料基材。

4.根據權利要求1～3任一項所述的拾取方法，其特征在于，所述片料基材為擴散層GDL片材，所述吸附裝置為靜電吸附裝置，所述拾取方法包括：

所述靜電吸附裝置的靜電吸盤吸附所述GDL片材以后，控制所述靜電吸盤在所述GDL片材的厚度方向上振動，使遠離所述靜電吸盤的所述GDL片材脫離所述靜電吸盤。

5.根據權利要求1～3任一項所述的拾取方法，其特征在于，所述片料基材為GDL片材，所述吸附裝置為伯努利吸附裝置，所述拾取方法包括：

控制所述伯努利吸附裝置的伯努利吸盤與所述GDL片材的距離為預設距離，調整所述伯努利吸盤的壓力，使所述伯努利吸盤吸附所述GDL片材，然后控制所述伯努利吸盤在所述GDL片材的厚度方向上振動，使遠離所述伯努利吸盤的所述GDL片材脫離所述伯努利吸盤。

6.根據權利要求5所述的拾取方法，其特征在于，所述伯努利吸盤至少包括兩個，所述拾取方法包括：

控制每個所述伯努利吸盤與所述GDL片材的距離為所述預設距離，調整至少兩個所述伯努利吸盤的壓力，使至少兩個所述伯努利吸盤分別吸附所述GDL片材的同一表面的兩端。

7.根據權利要求6所述的拾取方法，其特征在于，所述GDL片材堆疊于GDL料倉內，所述控制所述伯努利吸附裝置的伯努利吸盤與所述GDL片材的距離為所述預設距離的步驟包括：

控制所述GDL料倉的底板上下運動，使所述GDL料倉內的最上層的所述GDL片材與所述伯努利吸盤的吸附距離為所述預設距離。

8.根據權利要求1～3任一項所述的拾取方法，其特征在于，所述片料基材包括邊框，所述吸附裝置為真空吸附裝置，所述拾取方法包括：

所述真空吸附裝置的真空吸盤吸附所述片料基材的邊框以后，控制所述真空吸盤在所述片料基材的厚度方向上振動，使遠離所述真空吸盤上的所述片料基材脫離所述真空吸盤。

9.根據權利要求8所述的拾取方法，其特征在于，所述邊框的兩側設置有多個通孔，所述真空吸盤的周向設置有多個吸盤孔，所述拾取方法包括：

所述真空吸盤吸附所述片料基材的邊框時，至少一個所述吸盤孔對應一個所述通孔，至少一個所述吸盤孔不對應所述通孔。

10.根據權利要求9所述的拾取方法，其特征在于，所述片料基材為5CCM片材或7-MEA片材，所述吸盤孔的孔徑為2mm～3mm，相鄰兩個所述吸盤孔之間的距離是5mm～10mm，所述拾取方法包括：

所述真空吸盤吸附所述片料基材的邊框時，所述真空吸盤的邊緣不超過所述邊框的邊緣。

11.一種片料基材的拾取裝置，其特征在于，包括：

吸附裝置，所述吸附裝置的吸附頭用于吸附所述片料基材；

振動裝置，所述振動裝置安裝于所述吸附頭，使所述吸附頭在吸附后的所述片料基材的厚度方向上振動。