[發明專利]一種基于脈沖渦流的導電材料缺陷高精度成像檢測方法有效
| 申請號： | 201911363034.6 | 申請日： | 2019-12-26 |
| 公開（公告）號： | CN111122697B | 公開（公告）日： | 2023-03-24 |
| 發明（設計）人： | 銀鴻;文軒;楊生勝;王鹢;李存惠;王俊;莊建宏 | 申請（專利權）人： | 蘭州空間技術物理研究所 |
| 主分類號： | G01N27/9013 | 分類號： | G01N27/9013 |
| 代理公司： | 北京理工大學專利中心 11120 | 代理人： | 田亞琪 |
| 地址： | 730000 甘*** | 國省代碼： | 甘肅;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 脈沖 渦流 導電 材料 缺陷 高精度 成像 檢測 方法 | ||
1.一種基于脈沖渦流的導電材料缺陷高精度成像檢測方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟一、在待檢測導電材料表面的激勵磁場均勻區內陣列化地設置兩行磁傳感器，第二行傳感器設置在第一行傳感器的間隙位置；
步驟二、利用配置測距輪的速度編碼器在掃描檢測過程中給磁傳感器陣列發送采集指令；
步驟三、利用等空間插值方法將所采集的磁傳感器信號進行處理獲得所檢測區域的磁場特征圖像；
所述等空間插值方法為：
在檢測時刻ti，i＝1，2，...；數據采集系統獲得N個通道的磁傳感器差分信號以及當前的檢測位置si，其中，差分信號由磁傳感器當前采集信號與無缺陷的信號差分所得，檢測位置si由測距輪和速度編碼器獲得，提取每通道差分信號峰值為第j個磁傳感器在ti時刻的差分信號峰值，組成N維特征向量設定最終生成的磁場特征圖像空間分辨率a，則所生成圖像的列像素點為m＝p/a+1，p為磁傳感器陣列長度，采用一維線性插值法將Vi插值為m維向量Vi′；同理，在下一個檢測時刻ti+1，獲得m維特征向量Vi+1′及檢測位置si+1，則相鄰檢測時刻的探頭位移為Δsi＝si+1-si；將檢測時刻ti、ti+1的m維特征向量Vi′、Vi+1′組合為m×2維的特征矩陣Ai，利用雙線性插值法將Ai擴展為m×ni維特征矩陣Ai′，其中ni＝Δsi/a+1；假定掃描完成后共進行k次檢測，則按上述插值方法獲得最終的特征矩陣為：
C＝[A′1，A′2，...，A′k]
將特征矩陣C轉換為相應的灰度矩陣或顏色矩陣，使特征矩陣元素與像素灰度值或像素顏色值對應，從而得到檢測區域的磁場特征圖像。
2.如權利要求1所述的一種基于脈沖渦流的導電材料缺陷高精度成像檢測方法，其特征在于，所述磁傳感器為TMR磁傳感器。
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