[發(fā)明專利]CMOS圖像傳感器的制造方法及CMOS圖像傳感器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911360932.6
• 申請(qǐng)日: 2019-12-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110957340A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李曉玉;秋沉沉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種CMOS圖像傳感器的制造方法，所述CMOS圖像傳感器具有像素區(qū)，其特征在于，所述CMOS圖像傳感器的制造方法包括：

提供一襯底，其中，所述像素區(qū)中所述襯底上形成有柵氧化層和位于所述柵氧化層上的多晶硅柵極，所述多晶硅柵極和所述柵氧化層的交界處形成有氧空位；

形成掩膜層，所述掩膜層覆蓋所述多晶硅柵極和所述柵氧化層；

對(duì)所述多晶硅柵極進(jìn)行P型離子注入；以及，

對(duì)所述多晶硅柵極進(jìn)行氟離子注入以使所述氟離子占據(jù)所述氧空位，并去除所述掩膜層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器的制造方法，其特征在于，在對(duì)所述多晶硅柵極進(jìn)行氟離子注入以占據(jù)所述多晶硅柵極和所述柵氧化層的交界處的氧空位中，所述氟離子的注入劑量介于1E12atoms/cm²～1E13atoms/cm²；注入能量介于50kev～80kev。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器的制造方法，其特征在于，對(duì)所述多晶硅柵極進(jìn)行P型離子注入中，所述P型離子為硼離子，所述硼離子的注入劑量介于1E15atoms/cm²～5E16atoms/cm²，注入能量介于5K eV至50K eV。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器的制造方法，其特征在于，所述掩膜層為光刻膠層或者氮化硅層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器的制造方法，其特征在于，所述掩膜層的厚度介于

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器的制造方法，其特征在于，通過(guò)化學(xué)氣相沉積工藝形成所述柵氧化層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器的制造方法，其特征在于，所述柵氧化層的厚度介于所述柵氧化層的材質(zhì)為二氧化硅。

8.一種CMOS圖像傳感器，所述CMOS圖像傳感器具有像素區(qū)，其特征在于，所述CMOS圖像傳感器包括：襯底、覆蓋所述像素區(qū)中襯底的柵氧化層以及位于所述柵氧化層上的多晶硅柵極，所述多晶硅柵極和所述柵氧化層的交界處形成有氧空位，其中，所述多晶硅柵極中注入有P型離子和氟離子，所述氟離子占據(jù)所述氧空位。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述多晶硅柵極中的所述氟離子的注入劑量介于1E12atoms/cm²～1E13atoms/cm²；注入能量介于50kev～80kev。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述多晶硅柵極中的所述P型離子為硼離子，所述硼離子的注入劑量介于1E15atoms/cm²～5E16atoms/cm²，注入能量介于5K eV至50K eV。