[發明專利]防硫化片式厚膜固定電阻器的制作方法

在審

• 申請號: 201911359825.1
• 申請日: 2019-12-25
• 公開（公告）號: CN111128499A
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發明（設計）人: 劉宏;屈海瓊
• 申請（專利權）人: 株洲宏達電通科技有限公司
• 主分類號: H01C17/00
• 分類號: H01C17/00;H01C17/02;H01C17/242
• 代理公司: 湖南省婁底市興婁專利事務所(普通合伙) 43106
• 代理人: 鄔松生

本發明提供的防硫化片式厚膜固定電阻器的制作方法，它包括有以下步驟：按照常規片式厚膜固定電阻器的生產工藝完成產品的調阻工序的加工；再經過掩膜印刷、鎳鉻合金的濺射、老化、二次玻璃和標記印刷、固化，一次分割、封端、二次分割、表面處理加工即成。本發明針對空氣中的硫化氣體對面電極中的銀產生硫化的問題，片式厚膜固定電阻器在調阻之后，在銀鈀面電極上用磁控濺射技術濺射上一層鎳鉻合金膜，從而達到片式厚膜固定電阻器防硫化的作用，提高了產品的性能可靠性以及使用壽命。

技術領域

本發明專利涉及一種電子元器件，尤其是指一種防硫化片式厚膜固定電阻器的制作方法。

背景技術

目前，隨著電子技術及軍用電子元器件的發展，以及現代武器裝備小型化、輕型化和高性能化的需要，對電子元器件的性能可靠性提出了更高的要求，片式厚膜固定電阻器作為重要的基礎電子元件，廣泛應用于移動通訊、筆記本電腦、掌上電腦、計算機、汽車電子等小型整機電子設備的表面貼裝，同時也在航空、航天、衛星、導彈、海（地）纜、通信等軍用電子整機的線路中廣泛使用。

現有片式厚膜固定電阻器面電極一般是銀鈀合金的，普通厚膜片式電阻器面電極含鈀量為0.5%左右，根據片式厚膜固定電阻器的結構，面電極是連接電阻體和焊接端頭用的內部電極。由于二次保護層和焊接端頭之間有微量的縫隙，當空氣中含有大量硫化氣體時，硫化氣體會沿著縫隙與內電極接觸，銀被硫化反應成硫化銀。由于硫化銀不導電，所以隨著電極被硫化，電阻值逐漸增大，直至最終成為開路，導致電阻器失效。在實際工作中，并非只有用在化工廠的電阻會被硫化，在礦業、火力發電廠中的電阻同樣存在被硫化的危險，甚至在某些場合僅僅因為在封閉環境中使用了含硫的橡膠、油也會導致在高溫下釋放的硫導致電阻硫化，因此汽車電子中也逐漸開始重視電阻的防硫化。

防硫化電阻為了避免內電極硫化，一般情況下，厚膜片式電阻器防硫化是從兩個方面進行的，一是通過改善二次保護包覆層設計，讓底層電極覆蓋上二次保護，并達到一定尺寸，在電鍍時，Ni層和Sn-Pb層均能容易地覆蓋上二次保護層，這樣可以減少二次保護層和焊接端頭之間有微量的縫隙，避免硫化氣體的侵入，提高了產品的防硫化能力；二是從材料角度出發，提高面電極Ag/Pd漿料中鈀的含量，把鈀的含量從通常的0.5%提高到5%以上，由于漿料中鈀含量的提高，鈀的穩定性提高了電阻抗硫化能力。第一種方法僅僅是減少了二次保護層與面電極之間的縫隙，只是減慢了硫化的速度，不能完全做到防硫化；第二種方法由于在面電極漿料中增加了貴金屬鈀的含量，使片式電阻器的材料成本增加很多。

發明內容

本發明的目的在于提供一種具有抗硫化能力強，制造成本低的新型可以防硫化的片式固定電阻器及其制作方法。

為實現上述目的，本發明所提供的技術方案為：防硫化片式厚膜固定電阻器的制作方法，它包括有以下步驟：

a．按照常規片式厚膜固定電阻器的生產工藝完成產品的調阻工序的加工；

b．掩膜印刷，選用合適掩膜漿料，采用絲網印刷技術在已經調阻完成的半成品上印刷一層掩膜，將不需要濺射的部分都掩蓋住，只留出面電極銀層；

c．鎳鉻合金的濺射，將印刷好掩膜的半成品放進磁控濺射機中，進行濺射，濺射后用超聲波將掩膜清洗干凈并烘干，在銀電極表面形成鎳鉻合金膜，再進行老化，使鎳鉻合金膜穩定；

d. 后工序制作，將老化后的產品繼續按照原有的片式厚膜固定電阻器加工工藝依次進行二次玻璃和標記印刷、固化，一次分割、封端、二次分割、表面處理等后工序的加工即成。

a步驟的調阻工序具體加工過程為：產品在調阻機工作臺上，用探卡對產品阻值測量后，用激光對產品進行切割，使產品阻值不斷升高，直至產品阻值達到要求范圍內。

b步驟的采用I-9760玻璃漿料作為掩膜漿料，漿料主要成分為玻璃粉、樹脂載體和溶劑。