[發(fā)明專利]一種太陽能單晶PERC制備的多層SiNx 有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911359538.0 | 申請日： | 2019-12-25 |
| 公開（公告）號： | CN111029414B | 公開（公告）日： | 2021-05-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 雷麗茶;趙穎;厲文斌 | 申請（專利權(quán)）人： | 橫店集團(tuán)東磁股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0216 | 分類號： | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 鞏克棟 |
| 地址： | 322118 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 太陽能 perc 制備 多層 sin base sub | ||
1.一種太陽能單晶PERC制備的多層SiNx背膜工藝方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：
(1)將反應(yīng)體系抽真空，采用SiH4和NH3對硅片背面進(jìn)行預(yù)淀積鍍膜，得到預(yù)淀積處理后的硅片；
(2)采用SiH4和NH3對所述預(yù)淀積處理后的硅片進(jìn)行鍍膜沉積；
(3)重復(fù)進(jìn)行步驟(1)-(2)2次，所述SiH4和NH3的流量比梯度變化，得到太陽能電池片；
其中，所述梯度變化的幅度為：
第一次預(yù)淀積鍍膜和鍍膜沉積過程中，SiH4和NH3的流量比各自獨立的選擇1:(14～15)；
第二次預(yù)淀積鍍膜和鍍膜沉積過程中，SiH4和NH3的流量比各自獨立的選擇1:(12～13)；
第三次預(yù)淀積鍍膜和鍍膜沉積過程中，SiH4和NH3的流量比各自獨立的選擇1:(9～11)。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(1)所述預(yù)淀積鍍膜的溫度為420～490℃。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(1)所述預(yù)淀積鍍膜的時間為10～25s。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(1)所述反應(yīng)體系的真空度的控制為：PD305機(jī)臺80mTorr。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(1)所述硅片背面沉積有Al2O3鈍化膜。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(2)所述鍍膜沉積的溫度為420～490℃。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(2)所述鍍膜沉積的時間為80～700s。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述太陽能單晶PERC制備的多層SiNx背膜工藝方法的總鍍膜時間為800～1000s。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
