[發(fā)明專利]一種減反射防藍光鏡片及其生產(chǎn)工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911359224.0 | 申請日: | 2019-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN110908142A | 公開(公告)日: | 2020-03-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 佟艷群;焦飛宏;蔣俊平;陳新 | 申請(專利權(quán))人: | 江蘇匯鼎光學眼鏡有限公司 |
| 主分類號: | G02C7/10 | 分類號: | G02C7/10;G02B1/116;G02B1/14 |
| 代理公司: | 南京智造力知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32382 | 代理人: | 杜丹 |
| 地址: | 212000 江蘇省鎮(zhèn)江市丹陽*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 反射 防藍光 鏡片 及其 生產(chǎn)工藝 | ||
1.一種減反射防藍光鏡片,其特征在于:包括基片(3)、加硬膜和減反射膜層,所述加硬膜包括內(nèi)側(cè)加硬膜(4)和外側(cè)加硬膜(2),分別設(shè)在基片(3)的內(nèi)側(cè)或外側(cè),所述減反射膜層包括內(nèi)側(cè)減反射膜層(5)和外側(cè)減反射膜層(1),分別設(shè)在內(nèi)側(cè)加硬膜(4)或外側(cè)加硬膜(2)的表面,所述內(nèi)側(cè)減反射膜層(5)和外側(cè)減反射膜層(1)成分相同,為八層,由內(nèi)向外依次為第一層二氧化鋯層(6),第二層二氧化硅層(7),第三層二氧化鋯層(8),第四層二氧化硅層(9),第五層二氧化鋯層(10),第六層二氧化硅層(11),第七層氧化銦錫層(12),第八層二氧化硅層(13)。
2.如權(quán)利要求1所述的一種減反射防藍光鏡片,其特征在于:所述內(nèi)側(cè)加硬膜(4)和外側(cè)加硬膜(2)均為有機硅加硬膜,厚度為1~2μm。
3.如權(quán)利要求1所述的一種減反射防藍光鏡片,其特征在于:第一層二氧化鋯層(6)厚度為6~8nm,第二層二氧化硅層(7)厚度為35~40nm;第三層二氧化鋯層(8)厚度為18~20nm;第四層二氧化硅層(9)厚度為30~40nm;第五層二氧化鋯層(10)厚度為85~90nm;第六層二氧化硅層(11)厚度為10~14nm;第七層氧化銦錫層(12)厚度為6~7nm;第八層二氧化硅層(13)厚度為70~74nm。
4.一種減反射防藍光鏡片的生產(chǎn)工藝,其特征在于:具體包括以下步驟:
第一步,基材配制:按重量份數(shù)計,在室溫下將96份的碳本酸丙烯乙酸、過碳酸異丙酯2~3份、引發(fā)劑0.02~0.03份、增塑劑0.03~0.04份、藍光吸收劑0.2~1份均勻攪拌,抽真空混合為單體混合物得到基材;
第二步,澆注固化:將處理好的基材澆注到清洗過的鏡片模具中,再送入固化設(shè)備中,進行澆注固化處理,得到基片(3);
第三步,鏡片清洗:將固化成型的基片(3)切邊,再進行清洗;
第四步,鏡片加硬:在加硬設(shè)備中采用HCZ117有機硅加硬液對洗凈的基片(3)進行加硬處理;
第五步,加硬固化:將加硬過的基片(3)送入固化設(shè)備中,得到帶有加硬膜的鏡片;
第六步,真空鍍膜:將帶有加硬膜的鏡片送入真空鍍膜室,分別在內(nèi)側(cè)加硬膜(4)和外側(cè)加硬膜(2)表面加鍍減反射膜層,得到減反射防藍光鏡片;
第七步,鏡片檢驗:對減反射防藍光鏡片進行檢驗工作,檢測防藍光、可見光反射比、可見光透射比、耐磨、膜層附著力性能是否合格。
5.如權(quán)利要求4所述的一種減反射防藍光鏡片的生產(chǎn)工藝,其特征在于:第二步澆注固化處理工藝為先加溫至50~60℃,保持2~3h,升溫至100~105℃,保持4~5h。
6.如權(quán)利要求4所述的一種減反射防藍光鏡片的生產(chǎn)工藝,其特征在于:第四步中加硬處理為在15~20℃溫度下將洗凈的基片(3)浸入有機硅加硬液,浸潤時間3~5分鐘,待液面平整無氣泡時,平穩(wěn)地將基片(3)提拉出液面。
7.如權(quán)利要求4所述的一種減反射防藍光鏡片的生產(chǎn)工藝,其特征在于:第五步中,固化溫度為100~105℃,固化時間為2~3h。
8.如權(quán)利要求4所述的一種減反射防藍光鏡片的生產(chǎn)工藝,其特征在于:第六步中,真空鍍膜室設(shè)定溫度40~50℃,真空度為4×10-5~4.2×10-5Pa。
9.如權(quán)利要求4所述的一種減反射防藍光鏡片的生產(chǎn)工藝,其特征在于:真空鍍膜時加內(nèi)到外依次鍍第一層二氧化鋯層(6)厚度為6~8nm,鍍膜速率2.5nm/s~3.5nm/s,第二層二氧化硅層(7)厚度為35~40nm,鍍膜速率5nm/s~6nm/s,第三層二氧化鋯層(8)厚度為18~20nm,鍍膜速率2.5nm/s~3.5nm/s,第四層二氧化硅層(9)厚度為30~40nm,鍍膜速率2.5nm/s~3.5nm/s,第五層二氧化鋯層(10)厚度為85~90nm,鍍膜速率2.5nm/s~3.5nm/s,第六層二氧化硅層(11)厚度為10~14nm,鍍膜速率2.5nm/s~3.5nm/s,第七層氧化銦錫層(12)厚度為6~7nm,鍍膜速率0.6nm/s~0.8nm/s,第八層二氧化硅層(13)厚度為70~74nm,鍍膜速率2.5nm/s~3.5nm/s。
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