[發明專利]基于有機薄膜晶體管的電流型像素驅動電路在審
| 申請號: | 201911358774.0 | 申請日: | 2019-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN111029395A | 公開(公告)日: | 2020-04-17 |
| 發明(設計)人: | 周佳燚;胡文平;任曉辰 | 申請(專利權)人: | 天津大學 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09G3/3233 |
| 代理公司: | 天津創智天誠知識產權代理事務所(普通合伙) 12214 | 代理人: | 王海濱 |
| 地址: | 300072*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 有機 薄膜晶體管 電流 像素 驅動 電路 | ||
本發明公開了一種基于有機薄膜晶體管的電流型像素驅動電路,其采用4個機薄膜晶體管驅動OLED,通過補償機薄膜晶體管的閾值電壓來提高圖像的質量。基于機薄膜晶體管的特殊性質,采用全新的電路設計結構,在對閾值電壓進行補償的基礎上還有效的防止了機薄膜晶體管漏電對像素電路電流均勻性造成的影響。
技術領域
本發明屬于電子電路技術和顯示技術領域,具體涉及一種基于有機薄膜晶體管的電流型像素驅動電路。
背景技術
近年來,有源矩陣有機發光二極管(Actire Matrix Organic Light EmittingDiode,AMOLED)顯示被人們廣泛研究。.與有源矩陣液晶顯示(Active Matrix LiquidCrystal Display。AMLCD)相比,AMOLED因具有廣視角、快響應、高亮度、低功耗、柔性等優點而被人們認為是新一代的顯示。現在,三星等公司更是將AMOLED用于一些手機屏幕中。OLED是一種電流發光型器件,需要穩定、統一的電流為其驅動而發光。然而,由于技術闖題,現今的有機薄膜晶體管很難為OLED提供穩定、統一的電流。而且偏壓下的有機薄膜晶體管的閾值電壓(Threshold Voltage,VTH)漂移現象嚴重,所以要重新設計一個針對有機薄膜晶體管性質的像素補償電路。然而,電路大多結構復雜,有多個編程操作過程,并引入了額外的控制信號。這就導致周圍的驅動電路設計更加復雜,像素的開口率降低;同時,每個像素被選通的時間內,隨著編程過程的增多,每個編程操作的時間和精確性都會降低。這就要求有簡單的,類似于傳統2TIC結構而又帶有補償作用的像素驅動電路。本專利提出了一種新的采用電流驅動型的像素電路,可以有效解決上面的問題。
發明內容
本發明的目的在于克服現有技術的不足,提供一種基于有機薄膜晶體管的電流型像素驅動電路。用4個OTFT驅動OLED,通過補償OTFT的閾值電壓來提高圖像的質量。基于OTFT的特殊性質,采用全新的電路設計結構,在對閾值電壓進行補償的基礎上還有效的防止了OTFT漏電對像素電路電流均勻性造成的影響。
本發明還提供了一種驅動OLED實現閾值電壓補償電路的驅動方法,該方法可以準確的對電路的閾值電壓進行補償。
本發明是通過以下技術方案實現的:
一種基于OTFT的閾值電壓補償的電流型像素電路,包括:第一有機薄膜晶體管T1,第二有機薄膜晶體管T2,第三有機薄膜晶體管T3,第四有機薄膜晶體管T4,電容Cs以及有機發光二極管OLED;第一有機薄膜晶體管T1為電路的驅動晶體管,其源極與電源電壓VDD相連,柵極連接電容Cs的一端,電容Cs另一端接地,漏極與第四有機薄膜晶體管T4的源極相連;第二有機薄膜晶體管T2的柵極與第一掃描控制線SCAN1連接,源極與列信號數據電流IDATA連接,漏極連接電源電壓VDD;第三有機薄膜晶體管T3的柵極與第一掃描控制線SCAN1連接,漏極與電容Cs的一端以及第一有機薄膜晶體管T1的柵極相連,源極與第二有機薄膜晶體管T2的漏極連接;第四有機薄膜晶體管T4的柵極與第二掃描控制線SCAN2相連,源極與第一有機薄膜晶體管T1的漏極相連,漏極與有機發光二極管OLED的陽極相連。
所述的基于OTFT的閾值電壓補償的電流型像素電路的驅動方法:
當第一掃描控制線SCAN1為低電平時,第二有機薄膜晶體管T2和第三有機薄膜晶體管T3打開,此時列信號數據電流IDATA通過第二有機薄膜晶體管T2和第三有機薄膜晶體管T3為電容Cs充電直到第一有機薄膜晶體管T1開啟;為保證列信號數據電流IDATA只流過第一有機薄膜晶體T1,電源電壓VDD需在此階段維持低電平使有機發光二極管OLED處于反偏狀態;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





