[發明專利]一種多弧技術與磁控技術合而為一的香檳金調色技術在審
| 申請號: | 201911358445.6 | 申請日: | 2019-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN111041429A | 公開(公告)日: | 2020-04-21 |
| 發明(設計)人: | 張俊峰;趙子東;許春立;呂治斌 | 申請(專利權)人: | 上海子創鍍膜技術有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/32 | 分類號: | C23C14/32;C23C14/35;C23C14/02;C23C14/16;C23C14/06 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 201505 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 技術 合而為一 香檳 調色 | ||
1.一種多弧技術與磁控技術合而為一的香檳金調色技術,其特征在于,在基片(1)上層依次通過多弧技術鍍Ti多弧打底層(2),再通過真空磁控濺射的方法依次鍍有第一TiN過渡層(3)、第二TiN過渡層(4),最后使用多弧技術鍍TiN多弧顏色層(5),達到最終穩定的表面涂層顏色,其工藝步驟如下:
①將基片(1)經過CNC、拋光、超聲波清洗,使得工件基體表面光滑、清潔,便于膜層的沉積以及最終成品的光亮;
②抽真空:真空抽至8.0×10-3Pa,剛開始是粗抽,從大氣抽至5pa,再用分子泵進行細抽;
③轟擊清洗:使用氬離子轟擊清洗、鈦轟擊;
④通過多弧鍍Ti多弧打底層(2):
真空度:通入氬氣,真空度保持在2×10-2pa,脈沖偏壓:200V,占空比50%,電弧電流:60-80a,引燃全部弧源,時間2-3min;
⑤通過真空磁控濺射的方法依次鍍有第一TiN過渡層(3)、第二TiN過渡層(4):
通入氮氣使真空度保持在(3~5)×10-1Pa,點鈦靶,使鈦靶功率為8KW,然后再逐漸加大N2氣體,隨著N2氣體量增大,色澤變化;
⑥多弧鍍TiN多弧顏色層(5):
通入氮氣使真空度保持在(3~5)×10-1Pa,然后再通入N2,生成顏色穩定的香檳金色,電弧電流:50-70A,脈沖偏壓:150V,占空比60%,沉積溫度:200℃;
⑦冷卻:鍍膜工序結束后,首先關閉電弧電源、靶電源、偏壓電源,然后關閉氣源、停轉架,工件在真空鍍膜室內冷卻至80-100℃時,向鍍膜室內充大氣,取出工件。
2.根據權利要求1所述的一種多弧技術與磁控技術合而為一的香檳金調色技術,其特征在于,所述的步驟①中基片(1)采用不銹鋼或硬質合金基片。
3.根據權利要求1所述的一種多弧技術與磁控技術合而為一的香檳金調色技術,其特征在于,所述的步驟②中抽真空粗抽時,烘烤加熱至150℃,伴隨鍍膜室溫度的升高,器壁放氣會使真空度降低,然后又回升,等到溫度回升到6.6×10-3Pa時方可進行鍍膜工作。
4.根據權利要求1所述的一種多弧技術與磁控技術合而為一的香檳金調色技術,其特征在于,所述的步驟③轟擊清洗中的氬離子轟擊清洗,其真空度:通入99.999%純度的氬氣真空度保持在2-3Pa,轟擊電壓:800-1000V,轟擊時間:10min。
5.根據權利要求1所述的一種多弧技術與磁控技術合而為一的香檳金調色技術,其特征在于,所述的步驟③轟擊清洗中的鈦轟擊,其真空度:通入99.999%純度的氬氣使真空度保持在2×10-2pa,脈沖偏壓:400-500V,占空比20%,電弧電流:60-80A,輪換引燃電弧蒸發源,每個電弧蒸發源引燃1-2min。
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