[發明專利]一種半導體設備中濾波電路的控制方法和半導體設備

有效

• 申請號: 201911357187.X
• 申請日: 2019-12-25
• 公開（公告）號: CN110888380B
• 公開（公告）日: 2021-11-16
• 發明（設計）人: 程旭文
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: G05B19/042
• 分類號: G05B19/042
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;姜春咸

本發明提供一種半導體設備中濾波電路的控制方法，包括：獲取射頻電源的目標頻率；根據所述目標頻率調整所述濾波電路中的高通濾波單元和/或低通濾波單元中的可調濾波元件，使所述濾波電路的通帶與所述目標頻率相匹配。在本發明提供的控制方法中濾波電路中的濾波元件可調，在更換射頻電源后或調整射頻電源輸出頻率后，僅通過調整高通濾波單元和/或低通濾波單元中的可調濾波元件，即可使濾波電路的通帶與新的射頻電源的頻率相匹配，從而在更換或調整射頻電源時不必同時更換不同通帶的濾波電路，降低了設備成本。并且，利用同一濾波電路連接多種頻率的射頻電源，提高了設備功能的多樣性和生產效率。本發明還提供一種半導體設備。

技術領域

本發明涉及微電子加工領域，具體地，涉及一種半導體設備中濾波電路的控制方法和一種半導體設備。

背景技術

目前，刻蝕工藝通常是通過射頻電源向刻蝕機的上電極和下電極導入射頻信號，利用上電極和下電極之間產生的耦合電場電離高真空狀態下的特殊氣體，產生含有大量電子、離子、激發態原子、分子和自由基等活性粒子的等離子體，使等離子體與晶圓材料表面發生各種物理和化學反應，從而使材料表面性能發生變化，以完成刻蝕工藝。

在現有的刻蝕設備中，每一頻率的射頻電源通常需要經過唯一對應的濾波電路進行濾波，以保證射頻信號頻率的準確性。在更換射頻電源時也需要同時更換濾波電路，導致設備的制造成本過高。

發明內容

本發明提供一種半導體設備中濾波電路的控制方法和半導體設備，該半導體設備能夠匹配多種頻率的射頻電源，降低設備的制造成本。

為實現上述目的，作為本發明的一個方面，提供一種半導體設備中濾波電路的控制方法，包括：

獲取射頻電源的目標頻率；

根據所述目標頻率調整所述濾波電路中的高通濾波單元和/或低通濾波單元中的可調濾波元件，使所述濾波電路的通帶與所述目標頻率相匹配。

可選地，所述根據所述目標頻率調整所述濾波電路中的高通濾波單元和/或低通濾波單元中的可調濾波元件，包括：

判斷所述目標頻率是否高于預設頻率；

當所述目標頻率高于預設頻率時，調整所述高通濾波單元中的所述可調濾波元件；

當所述目標頻率低于預設頻率時，調整所述低通濾波單元中的所述可調濾波元件。

可選地，所述根據所述目標頻率調整所述濾波電路中的高通濾波單元和/或低通濾波單元中的可調濾波元件，還包括：

當所述目標頻率高于所述預設頻率時，判斷所述低通濾波單元對所述目標頻率的衰減系數是否大于預設衰減系數，若否，則同時調整所述高通濾波單元和所述低通濾波單元中的所述可調濾波元件；

當所述目標頻率低于所述預設頻率時，判斷所述高通濾波單元對所述目標頻率的衰減系數是否大于所述預設衰減系數，若否，則同時調整所述高通濾波單元和所述低通濾波單元中的所述可調濾波元件。

可選地，所述根據所述目標頻率調整所述濾波電路中的高通濾波單元和/或低通濾波單元中的可調濾波元件，包括：

獲取所述可調濾波元件當前的屬性參數數值，并根據所述目標頻率確定所述可調濾波元件的目標屬性參數數值；

根據所述當前的屬性參數數值和所述目標屬性參數數值確定參數調節量，基于所述參數調節量調整所述可調濾波元件。

可選地，所述可調濾波元件包括可調電感，所述屬性參數數值包括電感值。

可選地，所述可調濾波元件包括可調電容，所述屬性參數數值包括電容值。

作為本發明的第二個方面，提供一種半導體設備，包括：下電極、濾波控制裝置和濾波電路，其中，