[發明專利]一種內透鏡及制作方法

在審

• 申請號: 201911355336.9
• 申請日: 2019-12-25
• 公開（公告）號: CN111142176A
• 公開（公告）日: 2020-05-12
• 發明（設計）人: 姚嫦媧
• 申請（專利權）人: 上海集成電路研發中心有限公司;成都微光集電科技有限公司
• 主分類號: G02B3/00
• 分類號: G02B3/00;G03F7/00;H01L27/146
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;張磊

1.一種內透鏡的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S01：提供一襯底，在所述襯底上形成底層內透鏡材料層；

步驟S02：在所述底層內透鏡材料層上形成光刻膠圖形層；

步驟S03：以所述光刻膠圖形層為掩模，對所述底層內透鏡材料層進行部分刻蝕，在所述底層內透鏡材料層上形成第一個臺階層；

步驟S04：對所述光刻膠圖形層側壁進行回刻，使所述第一個臺階層由所述光刻膠圖形層的兩側部分露出；

步驟S05：重復步驟S03至步驟S04，在所述底層內透鏡材料層上形成多個臺階層，使所述底層內透鏡材料層具有臺階狀的表面形貌；

步驟S06：去除剩余的所述光刻膠圖形層材料，并清洗；

步驟S07：在所述底層內透鏡材料層上覆蓋形成頂層內透鏡材料層，形成內透鏡結構。

2.根據權利要求1所述的內透鏡的制作方法，其特征在于，步驟S03中，采用各向異性的干法刻蝕工藝，對所述底層內透鏡材料層進行部分刻蝕。

3.根據權利要求1或2所述的內透鏡的制作方法，其特征在于，步驟S03中，對所述底層內透鏡材料層進行部分刻蝕時的刻蝕厚度為所述底層內透鏡材料層總厚度除以臺階層數。

4.根據權利要求1所述的內透鏡的制作方法，其特征在于，步驟S04中，采用各向同性的干法刻蝕工藝，對所述光刻膠圖形層側壁進行回刻。

5.根據權利要求1或4所述的內透鏡的制作方法，其特征在于，步驟S04中，對所述光刻膠圖形層側壁進行回刻時的回刻厚度為所述光刻膠圖形層總厚度除以臺階層數。

6.根據權利要求2或4所述的內透鏡的制作方法，其特征在于，所述干法刻蝕工藝為干法等離子體刻蝕工藝。

7.根據權利要求1所述的內透鏡的制作方法，其特征在于，所述臺階層數量不少于3個。

8.根據權利要求1所述的內透鏡的制作方法，其特征在于，步驟S07中，采用保形性的氣體壓力條件，在所述底層內透鏡材料層上淀積頂層內透鏡材料層。

9.根據權利要求1所述的內透鏡的制作方法，其特征在于，所述底層內透鏡材料和頂層內透鏡材料為氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或碳化硅。

10.根據權利要求1所述的內透鏡的制作方法，其特征在于，所述光刻膠圖形層總厚度為10000～50000埃。

11.一種內透鏡，其特征在于，包括：

底層內透鏡材料層，其具有多個臺階層，各所述臺階層從上至下寬度依次增加，使所述底層內透鏡材料層具有臺階狀的表面形貌；

頂層內透鏡材料層，覆蓋在所述臺階層上，所述頂層內透鏡材料層具有圓弧形的表面形貌。

12.根據權利要求11所述的內透鏡，其特征在于，所述臺階層數量不少于3個。

13.根據權利要求11所述的內透鏡，其特征在于，所述底層內透鏡材料和頂層內透鏡材料為氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或碳化硅。

14.根據權利要求11所述的內透鏡，其特征在于，所述底層內透鏡材料層設于一襯底上。